砷化镓单晶切片检测

检测项目

晶体取向偏差、位错密度、电阻率均匀性、载流子浓度、迁移率分布、表面粗糙度、厚度公差、翘曲度、弯曲度、平行度误差、晶格常数偏差、杂质元素含量、氧含量分析、碳含量测定、表面金属污染、边缘崩边率、崩边深度、表面划痕密度、亚表面损伤层深度、腐蚀坑密度、晶体缺陷分布图、热稳定性测试、红外透过率分析、荧光光谱特性、X射线双晶摇摆曲线半高宽、电子迁移率饱和值、击穿电压特性、热导率分布、应力分布图谱、化学配比分析。

检测范围

2英寸n型砷化镓抛光片、4英寸半绝缘砷化镓衬底片、6英寸掺硅砷化镓外延片、VGF法生长单晶切片、LEC法生产晶圆片、(100)晶向抛光片、(111)晶向研磨片、掺碲导电型切片、掺铬半绝缘型切片、MBE用基片材料、MOCVD外延基板片、HEMT器件用衬底片、LED用外延基板片、光伏电池用砷化镓薄片、太赫兹器件用超薄切片、微波射频器件基片片芯级切片。

检测方法

X射线衍射法（XRD）：通过测量晶体衍射峰位和强度变化分析晶格畸变与取向偏差，采用四圆测角仪实现三维晶体结构表征。

范德堡法电阻率测试：采用四探针接触模式测量薄片电阻率分布，通过几何修正因子计算体电阻率值。

化学腐蚀显缺陷法：使用AB腐蚀液（H2SO4:H2O2:H2O=3:1:1）在特定温度下进行选择性腐蚀，通过光学显微镜统计EPD值。

低温霍尔效应测试：在液氮温度下测量载流子浓度与迁移率参数，采用范德堡电极配置消除几何误差影响。

原子力显微镜（AFM）分析：通过纳米级探针扫描获得表面三维形貌数据，定量表征表面粗糙度与微观缺陷。

二次离子质谱（SIMS）：利用聚焦离子束溅射样品表面进行深度剖析，精确测定掺杂元素纵向分布浓度。

检测标准

GB/T32604-2016半导体材料砷化镓单晶抛光片规范

SJ21470-2018半绝缘砷化镓单晶片缺陷检验方法

ASTMF1408-92(2018)砷化镓晶片表面粗糙度测试规程

JISH0601-2015砷化镓单晶晶向测定方法

SEMIM44-0309砷化镓晶片几何参数测量指南

IEC60749-27:2006半导体器件机械环境试验方法

ISO14644-1:2015洁净室及相关受控环境分级标准

GB/T35098-2018微电子工艺用砷化镓单晶片

ASTMF76-08(2016)半导体材料电阻率测试标准

SJ/T11483-2014化合物半导体材料载流子浓度测试方法

检测仪器

高分辨率X射线衍射仪：配备四轴测角器和面阵探测器，可完成ω-2θ扫描与倒易空间映射分析。

低温霍尔效应测试系统：集成电磁屏蔽室与液氮杜瓦装置，测量精度达3%以内。

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。