SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

标准中涉及的相关检测项目

检测项目：

• 亚损伤层的厚度测量
• 晶体质量评价
• 应力测量

检测方法：

• X射线双晶衍射法：通过X射线穿透材料检测衍射图谱，从而分析出亚损伤层的厚度和晶体应力情况。
• 衍射峰分析：分析因晶体缺陷引起的衍射图谱畸变，从而评估晶体质量。
• 应力测定法：根据衍射峰的变化，判断材料内部应力的存在与分布。

涉及产品：

• 砷化镓（GaAs）抛光片：应用于半导体、光电子器件等领域。
• 其他半导体材料：可以根据其物理特性使用类似的检测方法进行评估。

此标准主要针对砷化镓抛光片，指导相关检测以提高产品质量和性能，适用于相关生产及研究单位。

SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法的基本信息

标准名：砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

标准号：SJ 20714-1998

标准类别：电子行业标准(SJ)

发布日期：1998-03-18

实施日期：1998-05-01

标准状态：现行

SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法的简介

本规范规定了砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法。本规范适用于经过化学、机械单面和双面抛光的砷化镓抛光片亚损伤层的定性测量。SJ20714-1998砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法SJ20714-1998

SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法的部分内容

中华人民共和国电子行业军用标准FL 5971

SJ207141998

砷化镓抛光片亚损伤层的

X射线双晶衍射试验方法

Test method for sub - surface damege of gallium arsenide polishedwafer by X - ray double crystal diffraction1998-03-18发布

1998-05-01实施

中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准砷化镓抛光片亚损伤层的X射线

双晶衍射试验方法

Test method for sub - surface damege of galim arsenide polishedwafer by X - ray double trystal diffraction1范围

1.1主题内容

SJ 20714--1998

本标准规定了碑化抛光片亚摄伤层的X射线双晶衔射试验方法。1.2适用范围

本标准适用于经过化学、机械单面和双面抛光的碑化镓晶片亚损伤层的定性测量。2引用文件

CJB1926~94砷化镓单晶材料规范。3定义

本意无条文。

4一般要求

4.1测量大气条件

a.环境温度：23±5℃

b.相对湿度：≤70%

c.大气压力：86~106kPa

4.2测量环境要求

测量实验室应无振动，不允许存在电磁干扰；并保证一定的洁净条件。无魔蚀性气体。中华人民共和国电子工业部1998-03-18发布TKANrKAca-

1998-05-01实施

5详细要求

5.1方法提要

SI 20714 ~ 1998

X射线受完整晶体反射的摇摆曲线半蜂宽度为：=21F1xP

式中：8——半峰宽，弧度；

N-~单位体积晶胞数，cm~3；

a—x光波长，cm；

β布喇格角,\;

P—偏振因子;

e、巩、C物理带数：电子电荷，电子静止质量和光速：F —— 晶体结构因子。

在晶体有缺陷时晶体完整性降低，半峰宽加大，因此半峰宽是表征晶体究整性的重要参数。晶体的表面加工（切、磨、抛等工艺）使其表面损伤即在表面亚损伤层中晶体的完整性受到磁坏，将使晶体播摆曲线半峰宽变大，困此半峰宽大小可以用来表征在具有基本相同本征缺陷的晶体由于晶体表面经过加工的损仿。5.2测量仪器

X射线双晶衔射仪，计算机数据采集系统。5.3测量条件

用Cukα1辐射，一晶标准晶体为无位错硅单晶，经机械化学抛光，成镜面。采用小狭缝人射，双晶（+n、n）排列，采用同一→（khl）对称反射，闪炼计数管计数。5.4试样制备

试样表面应符合 GJB 1926中 3.2.9 和 3.2.10条的规定，经无水乙醇清洗应具有清洁和干燥表面。

5.5选点要求

测量点选取试样的中心点。

5.6测试步骤

5.6.1将样品固定在样品架上，探测器放在29位置上，调节样品0和平面角@角度，找到衍射峰极大值。

5.6.2用小于每角度秒一步的扫描速度进行摇摆曲线的步进扫描，用计算机数据采集系统采集数据，并绘出摇摆曲线图形，从图中量出半蜂宽，给出半峰宽的数据。5.7报告

测量报告包括以下内容：

a样品来源及编号；

b.仪器型号；

℃.测试条件：电压，电流，一晶人射狭缝，一晶种类、方向，一晶反射晶面，样品反射晶面；

SJ 20714 - 1998

d.測试日期、操作人员和测试单位；e.完整晶体摇摆曲线半蜂宽理论值：f.实测摇摆曲线图形和半峰宽（以【角】秒计)。6说明事项

6.1方法提要的补充说明

在双晶衍射仪中，经过两个晶体的反射，半峰宽为：B=429

在测量中考虑到仪器宽化作用，实测的半峰宽9”大于8。晶片半峰宽越接近理论值说明亚损伤层心且损伤不严重，反之半峰宽很大的晶片则损伤严重。将用所测的实验数据与理论值进行比较可以定性表征同一批晶片的经切磨抛后的亚损伤层的情况。6.2摇摆曲线的测量精度

考虑到仪器的系统误差，摇摆曲线半峰宽的测量精度为10%。附加说明：

本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。本标谁主要起草人：张世敏，郝建民，段曙光。计划项目代号：B65004。

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北检院检验检测中心能够参考《SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法》中的检验检测项目，对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试，检测项目包含《SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法》中规定的所有项目，以及出厂检验、型式检验等。

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检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。