GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法

标准中涉及的相关检测项目

《GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法》是关于光电子器件的具体测试规程标准。以下是该标准中通常提到的相关检测项目、检测方法以及可能涉及的产品类别：

1. 发光二极管（LED）的光输出功率测试。
2. 激光二极管的阈值电流和工作电流测试。
3. 光电二极管的光电响应度测试。
4. 光纤通信器件的光信号损失测试。
5. 光传感器的线性度测试。
6. 环境条件下（如温度、湿度）光电子器件的性能稳定性测试。

1. 使用积分球和光度计测量光输出功率。
2. 利用激光电流源测量激光二极管的阈值电流。
3. 采用光功率计测量光电二极管的响应度。
4. 光纤通信器件的损耗测量通常涉及光纤切割和连接器性能的考核。
5. 对于线性度测试，常使用标准光源以及对照曲线求解的方法。
6. 利用环境测试箱进行温湿度影响下的性能评估测试。

• 发光二极管（LED）
• 激光二极管
• 光电二极管
• 用于通信的光纤器件
• 光传感器
• 其他光电子元器件

请注意，这些内容是该标准中可能涉及的项目和检测方法的概括，具体细节和准确的测试程序需要参考标准文档中的详细描述。

GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法的基本信息

标准名：半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法

标准号：GB/T 15651.3-2003

标准类别：国家标准(GB)

发布日期：2003-01-01

实施日期：2004-08-01

标准状态：现行

GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法的简介

本部分适用于光电子器件的测试方法，用于光纤系统或子系统的除外。GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法GB/T15651.3-2003

GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法的部分内容

本系列标准的预计结构为

实5-！新分：光电卡器件

-…筹5-部分：光电了器件：焱本鼠完直和等卡：可5-3部：光电一器件洲此力法，GB/T *5551.3--2003/K 60747-5-3;1997本部分净同果册E6C74/-5-3,1957半号体务立器件和某成电路第5-前分：光能件测试占法(共文）。

少了与G，：199规定的劳数花号统一，木部分将暗出所的符号规定为「。便丁快月、本部分作了下列菊在栏整改：“1EC3747的本部分\样收为\本部务\月小数点““代替原文中作为小数点许适号“，”；t

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本部分中中华人民共利国信息产证部提山本部由国电了技术银精化研究所（CS性，本部分起益单位：单禹光养股份有限公司导本厂，本部分主要中人陈、那仁王出华：、即持出版、

1范圈

GB/T15651.3—2033/IE:E0747-5-3:1397半导体分立器件和集成电路

第5-3部分：光电子器件

测试方法

充部分或田于光电子器件的谢试方法，用十光纤统或子系瓷的除外。2视楚性引用文件

下列立牛中的条教通过（/T161的本部分的引用而成为牛部分的录款。凡是违日期的引月文件·片随后所有的耗收单（小包产劫课的内穿)变订版均不适用于本部分，然而，就融恨帮本部分站放协议的务去研究尽否依雨这北文件的最教版本，从尺本洋日期为引用文件，其量亲版本范于木部办。

GH/2121—1999电工电于产品环境试验第1部分：总则(:ctJ7t:501>68-1:148)EC0273198」同部放配微法

3光发射器件测试方法

3.发光二极管的发光强魔<「.)

3. :. 1目的

其量半导体发光一圾管的发光粥度。设方法范州十一种状态下对发光强度的洲盘：然恋1

将发光二报性微机械轴统线，烫或发光强度的最小适和或最大值。状2

将光学验分的光轴对准发光二被管的光料：模恋3

依期与发光二援芒外范类型柜对座的基准进行定位以便独可再复的机缺定位：3.1.2电路图

毛防图范医1所示..

图！电路图

GB/T 15651, 3—2003/TEC 6C747-5-3;t9973.1.3电路说明和要求

电瓷源：

被测发光二板管：

包含面为A的尚烂的光快测器：

一一压来消除将生缩射光栏，，不成限制库：被测发极普的离。

在发光一设发的派范生内光度的光诺灵敏产调到E际照要成会定的标准现案者线上，光型计光控）能微为，对产运资您离搬社单成行校理声4的人小应能使在光栏I1处现测光源时品靠年角<1/小于3.s当进行肤别测试时，电流发气器出出费双范拍度球冲商受和重复频率的电缸脉冲，光电探源器的上升时间胶冲宽实扭比底品整它成是赋件测让假能。3.1.4试程序

根据所选的试状态将被测发光二管定位放明规定电滤并用光电测器测更发光度。3.1.5规定条件

补境湿度，大条件（适用印）

通过发流一极奔净主间电就，续时间在重复率近历时）；状态」、2或3。

3.2红外发射二极管辐射强度(I）3.2.1自的

测量半导体红外射三范辆别强战。滤克法适币丁二种下对轻时射度的测量：状高！

将二摄管绕制报油旅转测和强变的最心和（或）量人值.状态2

将光学战验台的光轴对准一板管的光轴。试变3

依析与二控管异光结相对应的举准行亲，以便获得审机破是位3.2.2电略图

电路图见图2新示.

图2电路图

3.2.3电路说明和需求

电流源：

[>——-被测红外射二板管：

一暂射计,包括归视为A的光偿D.：GIl/T15651.3-7003/TFC 60747-5-3:1997D.,——用来消除资生和的光栏D,D.乐应限制立体而一被测极管利L同的作离：

庐月与越长尤关的探测（如：热满下件管轴店的辆射强煤，将光烂T，置小距离为以的位至：以/sr为单位对辅射计进行校准、离的大小能独在光性处观过红外光源的文床角A/小十心当进行户视试时，电就发兰器应出要求的幅度，腾计究逆毛贷知卡的自流球冲，输别计的！片州间与膝冲需度相比应足睦小，它盛尼脉冲测试设器，3.2.4测估程序

报据所选的满试状态将融二极答定拉：施加规定中新为卫辅射升量摘的号店3.2.5规定条件

一不境温受，大气条控适用时”：通试“披贯闪正问电流，持续时司和至复率（适月时）状态：、2或3：

3.3连值发射满长(1,)、光谱智射带宽（)和缴植数（。）3.3.1月的

测量发射器件的值发射波长，光谱辐射制宽：开求出激光一税管的数按数3.3.2电路图

心降图见图所示，

图 申路图

3.3.3电路说明和要求

被退器件：

乐您通：

电流源(脉冲或直流！；

M-——单变：

适当时，用来消价寄牛辐射的宝格：辆包栏

单年这的谈长分辨率利心宽品能供运所民行的测有足够的理3

GR/T 15651.3-—2003/EC:60747-5-3,1997档射计的光诺响底应过行校痛，为触示测，曲线的降值寸以表示为1%。3.3.4违意享项

如兴单色仪的传输系数和损射计的灵妞在要求的被长求回内不是常教，则三值应微修元，对于激光二极管的况量，反时入微芯一极管的摄射功率变尽量小，以保证光谱演序本受影项。3. 3. 5 谢试理度

3.3.5.1发光二极管或红外发射二极管或单榜激光二极营的峰位发射嵌长和光循弱射带宽给感器件地划规宽电流、

生要求范带小谢整单色仪为长，座期射计达到放大读数，记录相应的峰值波长即）见图）。130%

光情短制*

图4猫射功率与波长的关系图

然后在人前两边调节单色仪的波长直刻录大数的一半，记录这两个波心值（医4的，利），它的即是外发射器件发片件的光燃指射带宽（见断4，3.3.5.2多悦做光二极管的峰随变射波长、光谱辐射带宽和纵模数aj

多模激光二报管的样值发射波长给程逊器付旗加相当的电流使之达们规究的光边率输出，在要求的帖过内·两\单色义的滤长，到指示出各个峰偿的最高点。记下应于流最后点考波长，即峰值发射波长（见图)。多激光二板管的光诺细射带商

将单点仅以长被升始满渐调节则规被，度3.3.2)所述方法，记一达到或翅过规定的最高域出户比的第个波长，解已将单色仪以短波避渐使节到长波，重3.3.5.2a)所述方以证下达列可封过规定的最高缩出百分比的另一人鼓长，这两个但之间的差即为激光二轻管的光谢插射带（见图5）

多光二微肾的认模教

按3.3，3.25>所建方法谢试光语输射带宽后，即计算出空有帮宽边界内个核式车内的纵4

3.3.6规定条件

GB/T 15651.3—2003/IEC 60747-5-3:1997w

光解耐带方

图5多慢激光二极管的辆射功率与波长的关率关 :,FD和 IRFD:

环境或管充湿度：

规定的证间电流直流或脉中）

关于激光二极管，

环境管充或热沉温度；

韬众汤率或正问电流

除5)%以外的峰值辆时自分比：

3.4不带尾纤的邀光二极曾发射源的长度、宽应和象嵌性3. 4. 1目的

燃盘避光二极营的规定轴上发时源的尺寸和光求的象留性，3. 4. 2测量装置

过电路图5

图6到量电路图

GB/T15651,32003/5EE:60747-5-3,19973.4.3置说明和要求

(i——电疏源：

D一鼓测器件

1.—透镜系统：

SL带接维的扫描光电频测器：

15——带右源光片的光源或发射波长接近权测器件波长的1.FDBS~-分光镜或分束%.

3.4.4违意事项

在光源LS和器件D物整个截长范床内，透境系统1.应无色。3.4.5测量程库

a）发射源尺「

开启光酒LS，并两书送流系统1.在探测举SL>上获收器件力拍正面案焦图源，统君读取d：动，的值。

整被视器件D随加规定的直市电函，或与规定的辆射次累。相对应的直流电流沿深忠像的长轴和然轴力向调光电探测器S门的扫向光技测器品长抽和效轴描，发步光源的长度和魔等上编短轴3片率点之间的距忠灵以

b）家敏

启光源LS.产节券镜系统L：在探测器S上费联一器件1前追的集函像，燃后读取和的值

光出探建器的扫猫方问51）限急像的长轴和知轴太准，在光轴上间器丹D移动透镜系统1.，上到关辑方南光源长度为感小。到基适馈系统[.够动的臣高4，的值：逻镜系统1.司到起点，企短轴上重象上述步像，且透镜系统，1，移动的距离4。，与山禁以一/\即象敢。

3.4.E规定条件

环境、管充或热抗溢应：

直流正间电流或雅射山率；

李线：长轴和短轴

3.5光变射器件的举强度角和角差3.5.1月的

测尽光发射器件为辐射审间分：专您图见图了福息图必图8，

兰强度南内发光减度成摘射独度人二或等效大强的一半，该角是在某期定平而内确定的，叫该甲面文是由布确定的。

州偏差层和机械拍之间的光第。3

CB/T 15651.3—2003/IEC 60747-5-3:1997抽和，抽限定广这即器件的机提参专平面，妇家有角边，限定了带件1在你面上的方性。图？方应图

机械拍（：

图8辐射图

3.5.2光分布图

医说明了期车的光分布行定义：H)

图围9基本的光分布

GD/T15651.3—2003/kC60747-5-3:19973.5.3谢显装胃说明和丢求

趣测器件：

IL光探测鉴作；

2轴一破测鼎件确定的机械轻，

P11轴——光探测器的轴或

S—抽和TD轴之间的央剂

：五被划器作和光电二极孔师前定的体角成根小，当域立体获半势间德量洁果光明显流化的情品下-立认为立体角很心。

被测器作应表装在满足下列要求的光其上：靠体D可以指确重发定位

一改变9集时，密件口光学窗口的中心保持术变夹角6可刚益；

器件D可用龄轴荒转

一相对轴旋转的角度可谢量。

3.5.4注事项

正在考遂中，

3. 5. 5测或程序

给能测器件施定中洗。

将器许已的轴编与光探就器的粘裁对准.的（=心、在光电探氮器上滤量信号。设宠，100%.

将密性卫倾轻回自恒对光强/。与\的曲践。优先选择圾坐标形式画出：当在空白详继规范中规定时，女可采用其他形式的标如笛卡尔坐。

半强度角：是！/>时的两点之间的布。角们差是相对「，和之间的角：3.5.G规定条件

环境，管瓷或热沉温逻，

机快参学面：

—角中，

光敏器件的测试方法

4.1光电二极管（包括带或不带居纤的器件）在光拥射下的反向电流（1）或I(）和光电品体管光辐射下的集电极电流（isn或Is）

4.1.1目的

域光二极管（包括势或不带纤的器件）在光站射下的问电流和光心品体管在光包射下的架圾电康

4.1.2测最装寓

应深用下，种状态之一：

状悉！

件带绕其扩就轴旋转，以便悔定最大值的精确位贯，状态2

器件的光轴用光学基座对业，

状态 3

GB/T15651,3—2003/[EC60747-5-3,1997依据器件封费结构的类型所规定的其准进行定位，以便获得重每机械定位状态 4

谢展好器件

用暴案方法对推器件的光学两口以便接收据时功率，成见图10。

单色性

成测器件，

图10测缺置

电路图

电路图见蹈11a、11b.

国11光电晶体管

4.1.4测试装置的说明和要求

（妆友和

图Ilh光电二极管

被测器斗固定在测试用座上该划试插座安驶在已控难的光学基压上（然杰：2，3或4）：或安装在校难过的装雷上（状态3)。

光源应为下列的任何一个：

a）由控谨过的标准巧组或前标推光函（非单驾，以及配套的稳压电源和完成表；或：

！单色光源，包拆以下间者之一在胡上述所述的装置E，附加一个十涉滤光器成有规定的或口知的传摘择值坡长和光谱辐射觅的任低其他系统(单色仪等)。密：

任何其他经按准的已如峰值发射波长利光谱箱与带宽内弹件（例如：发光一圾管或红外发射极暂)，

GB/T15651.3—2003/1C60747-5-3：1907工带尾纤的光临件：电信用1>焊连的光源，1.1.5注意事项

一应避免光的帮与引起被测器件过热，当楚过23W量时连议安慧厢热板作为快\以便限制操光的技续时间

度供证光学面的请洁度：

创董之前京使光源诊意！

当轻推光源作半源时·应将抑制背生损射的光严暨于被谢器件的前而。关于电器件度照红骼性光享密1

4.1.6测盘理序

在规定的盟质条共下。

的管电放世在时光派…离的性方，该光源应具有规定的限座（测度）将被器件捕人流管降中，片施加熟定的置。少对状态！的情视，器件绕载撼轴能较在损封的添件下读出电者工最小度大电流值。为于状2、3或一的情视，在也然我上读凸光辆射下的电值。4.1.7规定案件

环求或他充道度

被测器件的筛置乐性！山，成脉冲）测试方法（与木标准不尚的）：标准光源（非单包性）或波长和光语辐射宽（单色·生），关于带尽纤学件：

环境或管竞据：

一测器计的得写急件：

进人光学审口然射功率！

光频将镀长和光语辐射带发。

4.2光电二圾管的瞻电案Ir和光电晶体管的暗电流ToIal、4.2. 1目的

在定的策忙下，测量光电极肯的喷电流和北电品达管的暗电流。4.2.2电路图

中片区则图12a，2612.24

图12a光电二极香的暗电流「a时10

留12h光电品年首的

集电极一发射极瞻电流

图12光电晶体管的发射极

编电极瞻电流Iwx

4.2.3电跨说明和要求

程统市座；

被测件。

4.2.4注意事项

GB/T15651.3—2003/1EC60747-5-3:1997围12d光电品体管的发射极一

基极暗电流1vm

放比患整与温有上分率切的关系，测盘度在非大虑上收决干环培度是否移定，完全般光是必要的录件，即快是者还的照光照时生穿过玻辆绝嫩子的金造线上·也会导改谢误的测血结果，在光潜灵無琅范围内，器件小显受到辅射。4. 2. 5 测或程床

在思定的品度象件下，益手·完全避光，格心压以零函断增加到项冠低，然后测量暗电流。4.2.6规定件

环境盟质；

范加的电后：

测 Iurn明[的 V. i

刘时的V

测.时的.·

测F时的V

4.3光电品体营的集电极一发射极饱和电压V:l4. 3. t 日的

规定的件下.测录光电品达管的题电圾一发射极的和甲压4.3.2电路图

电图见图13：

图13 电路图

4.3.3电跑说明和要求

5—总猫村源，

北检院检验检测中心能够参考《GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法》中的检验检测项目，对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试，检测项目包含《GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法》中规定的所有项目，以及出厂检验、型式检验等。

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检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。