JB/T 8946-1999 真空离子镀膜设备-检测标准-检测项目-北检院

标准中涉及的相关检测项目

根据标准《JB/T 8946-1999 真空离子镀膜设备》，以下是涉及的检测项目、检测方法以及相关产品的概述：

检测项目：

- 真空度指标 - 膜层附着力 - 镀膜均匀性 - 膜层厚度 - 离子源稳定性 - 能耗指标 - 设备安全性能

检测方法：

使用真空计测量设备的真空度
膜层附着力测试采用划痕测试或拉拔测试
镀膜均匀性通过厚度均匀性测试进行验证
使用膜厚测量仪对膜层厚度进行测量
离子源稳定性检测采用连续监测离子源参数的方法
能耗指标通过能耗计量设备进行测量
设备安全性能依据安全性能测试标准进行检测

涉及产品：

装饰镀膜设备
工具镀膜设备
光学镀膜设备
电子产品镀膜设备

以上信息为此标准框架下的检测项目、检测方法及相关产品的基本概述。具体的检测条件和执行标准请以标准文本为准。

JB/T 8946-1999 真空离子镀膜设备的基本信息

标准名：真空离子镀膜设备

标准号：JB/T 8946-1999

标准类别：机械行业标准(JB)

发布日期：1999-07-12

实施日期：2000-01-01

标准状态：现行

JB/T 8946-1999 真空离子镀膜设备的简介

JB/T8946-1999本标准规定了真空离子镀膜设备的技术要求，试验方法，检验规则，标成、包装、运输和贮存等。JB/T8946-1999真空离子镀膜设备JB/T8946-1999

JB/T 8946-1999 真空离子镀膜设备的部分内容

ICs 23. 160

中华人民共和国机械行业标准

JBT8946-1999

真空离子镀膜设备

Vacuum ion coatingplant

1999-07-12发布

国家机械工业厨

2000-01-01 实施

JB/TB9461999

本标准由全国真空技术标减化技冰委员会提出并归11，本坏准起草单位：沈阳真空技术研究所。本标雁主要起草人：金石、學春影、李玉英。1范酶

中华人民共和国机城行业标准

真空离子镀膜设备

Yacuun ion cbating ptanl

JB/T 8946—[999

本标准规定了真空离子镀膜设备的技术要求，试验为法，检验规则，标志，包装，运输和存等本标准适用于压力在10+-10-Ta范固的真空离于镀模设备（以下简称设备），其体包括如下类型多弧禹子、电弧放电型再空离子俺空心阴极南子（CD），频离子链（RFIP）、直减放电二拨型（DCIP）、阴极型，活性反成蒸发镜（ARE），增强型ARE，低压等离子体离子镀（LFPD），电场蒸发寓了、脑底加热商与铍、团离子束锦等，注：离了领足在真空或件下，利用气体放电性气样或被蒸变防质部分齿化，在气体离于支敏蒸发物质再于费士作用的同时，把蒸发物或其反应沉积在基片上。2引用标准

下列标准所包含的条实，通过在本标准中引用而构成为本标准的象文。本标准出版时，所示版本均,为有效，所有标准都会被修订，使用本标准的各应操讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T60701995真空法兰

GB:T11164—1999真空镀膜设备通用技术条件3技术要求

3.1设备正常1.作条

3.1.1环境温度：10℃-30℃

3.1.2相对湿度：不大丁75%。

3.1.3冷却水进水温度：不高丁25℃。3.1.4冷却水质：城市自来水或相当质址的水。3.1.5供电良源：38GV=柜50Hz或220V单相50Hz（用所用电器需要面定）：电压波动范用：342~399V或198-211V；趣率波动起用：49~51Iz.

3.1.。设备所带的压缩空气，浓离，冷水，熟水等的下小、温度，消耗量等，均应在产品快用说明书中写明，

3.1.7段备周围环境整消，空气消活，不应有引起电器及其他金别件丧而腐蚀感引起金属间导电的少埃或气体存在

3.1设备拉术参数

3.7.1设备的主要技术举数应符表1规定。阅家机榜工业局1999-07-12批准2000-01-01实

极限压力

拱气时间

JB/T89461999

55×10-

[10*-7 × 10: Pa]

32.1设备沉积源的丁作状况应稳定、可景，安全：并易于调节控制。3.2.3设备在正需锻膜时，工件相对真空室体一般为负电位，真空室律接地：B

( 10-7 × 10'Pa)

3.2.4沉积酬、.丁件、真空室体，均接不同的电位。出位离低根错不问离于雙膜设各的不同种费和不同功事要求而定。

3.3结按要求

3.3设备中的高究管道，静密封零带件【法兰、密封图等）的结构型式，应符合G8T6970的规定。

3.3.2在低点空和高真空肾道上及真空镶膜室上应安装真空测量规管，分别测血各部位的点空皮，当发块电杨对测量造成于扰时，应在测门处安装电场屏蔽转置，3.3,3如果设备使用的主泵为散扩泵时，应在票的进气目1一侧装设池蒸汽捕集阱，3，3.4设备的链膜窄成设有观察菌，观案窗.L成设有挡装置，观案窗成能观赛到沉积源的T作情况以及其他关链部位，

3.3.5离子链沉积源的设计应尽可能提高膜过程中的高化率，提高膜材料的利用率，合理匹配说积源的率，合理布置沉积瞬在真空室体的位置。3.3.（合理布置加热装算，一股加热器结构布品应使被链工件溢均约一致，3.3.了T件架应与真空案体绝缘，T件架的设计应使T件膜层均勾。3.3.8将子镀股设备一般应具有件负偏压和再子衰击电源，离子我击电源应具有抑制非止常改电装百，维持1作稳定：

3.3.9真空室接不同电位的各部分间的绝缴电班值的大小，均按GB/T11164—1999中的4.4.6.3.4制逆质显

接心B11164—1999中的4.4。

3.5安全防护

接QBT1164-.1999中的4.5。

4试验方法

4.1极限压力的测定

4.1.」试验条作

控B1164—99中的5.[.1中，

4. 1. 1测试方法

按 GRT 11164—1999 中 5.1.2。4.2抽气时间的测定

按R/T11164--1999中5.2

4.3升压率的测定