北检(北京)检测技术研究院
北检(北京)检测技术研究院

JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法

北检院检测中心  |  点击量:15次  |  2024-12-25 16:24:39  

标准中涉及的相关检测项目

根据标准《JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法》,主要涉及以下内容:

检测项目:

  • 电气性能测试:包括正向导通电压、反向恢复时间、漏电流等。
  • 热性能测试:包括热阻、结温等。
  • 机械性能测试:包括引脚强度、器件外观等。
  • 环境适应性测试:包括耐温、耐湿、耐振动等。

检测方法:

  • 电气测试使用标准测试设备进行,包括示波器、万用表等。
  • 热性能测试借助热电偶和红外测温仪。
  • 机械性能通过拉力测试机、外观用显微镜等设备进行检测。
  • 环境适应性测试通常在环境试验箱中进行,通过模拟不同的环境条件来观察性能变化。

涉及产品:

  • 整流二极管
  • 晶闸管(SCR)
  • 功率模块
  • IGBT模块

以上是根据《JB/T 2423-1999》的内容简要总结,具体检测项目和方法可能因具体产品和应用场景的不同而有所调整。

JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法的基本信息

标准名:电力半导体器件 型号编制方法

标准号:JB/T 2423-1999

标准类别:机械行业标准(JB)

发布日期:1999-08-06

实施日期:2000-01-01

标准状态:现行

JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法的简介

本标准规定了电力半导体器件型号的组成、各部分意义和表示方法。本标准适用于高压整流堆,电流等于大于5A的整流管、晶闸管、晶体管及其模块、组件,作为产品的有关附件、部件。JB/T2423-1999电力半导体器件型号编制方法JB/T2423-1999

JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法的部分内容

中华人民共和国机械行业标准

JB/T2423

恸‘舒毂

1999-08-06

佤鱻极懂

2000-01-01小

JB/T2423

本标准是对JB/T2423-—91电力半导体器件型号命名方法》进行的修订。

本标准缩写规则按GB/T1.1—1993的规定。本标准修订的主要内容:

适用范围扩大,包括作为产品的电力半导体器件的附件、部件和测试设备。b)增加了表示快开通型(整流管)的字母T和高频型(晶问管)的字母A。)半导体模块、组件的电联结型式作了补充、本标准的附录A、附录B均为标准的附录。本标准自实施之日起,代替JB/T2423—91。本标准首次发布于1978年12月19口。第一次修订后发布于1991年10几24日。第二次修订后发布于1999年8月6月。本标准由西安电力电子技术研究所提出并归口。本标准由西安电力电子技术研究所负责起草。本标难主要起草人:案贤满:

1范围

颊魁鹭佤艺

恸篦‘殿

本标谁规定了电力半导体件型号的组成,各部分意义和表小方法JB/T24231999

JB/T242391

本标准适用于高压整流堆,电流等于大于5A的整流管、品闸管、品体管及其模快、组件、作为产品的有关附件、部件:

2引用标准

下列标准所包含的条文,通过在小标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时,所示版本均为右效,所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标谁最新版本的可能性。GB/T8446.1—1987力半导体器件用散热器GB/T 8446.3—1988

JB/T 4219—1986

JIB/F 5835—1991

JB/T 5842—1991

JB/T 58431991

JB/T6473-[992

JB/T7623-1994

JB/T8157—1995

J13/T 8661—1997

JB/T 8736—1998

JB:T 8757—1998

JB/T 10097—1999

3器件型号的组成

电力半导体器件用散热器绝缘件和紧固件电力半导体器件测试设备型号命名方法电力半导休器件川门极组合件

电力半导体器件用管芯定位环

电力半导体器件用接插件

电力半导体器件用无氧铜管壳

机动车用整流管管壳

电力半导体器件用型材散热器外形寸电力半导体模块结构件

电力半导体模块用氧化铝陶瓷基片电力半导体器件用热管散热器

电力半导体器件用管壳

3.1分立器件型号的组成

佤极慢1999-08-06瘤

2000-01-01小缆

JB/T2423

母数学

器件规格序号

特征参数和(或)重要参数的级加主电压级数

主电流值(单位:A)

器件系列代号

器件门类代号

分立器件型号的四部分组成:第一部分用两个汉语拼音亨母表示器件的类型(门类和系列),第二部分用阿拉伯数宇表示器件额定主电流和主电压,第三部分用汉语拼音宇母表示器件的特征参数和(或)其它重要性能参数,第四部分用三位阿拉伯数字表示器件的规格序号。3.2半导体模块,组件型号的组成。三

字母数学

字母数学

规格序号

结构和特征参数

直流输出电压或其它额处主电压级数直流输出电流值或其它额定主电流值(单位:A)模块或组件内部的电联结代号

构成模块或组件的分立器件类型表示半导体模块(M)或组件(U)半导体模块或组件的型号由四部分纽成:第一部分为三个汉语拼音字母,第一位宁母表示半导体模块(M)或组件(U),第二位字母表示构成模块或组件的分立器件类型、第三位字母表示模块或组件内部的电联结型式:第二部分用阿拉伯数字表示模块或组件的直流输出电流值或其它额定主电流值和直流输出电正或其它额定主电压级数;第一部分用汉语拼音字母表祛结构和特征参数等内容:第四部分用阿拉伯数字表法模快或组件的规格序号。4器件型号第部分的字母及意义

4.1分立器件型号第一部分

分文器件型号第一部分字母及意义应符个表1的规定。2

器件门类

晶体管

编缘栅

双极型

晶体管

器性系列

JB/T24231999

器件门类

高压堆

快速(快恢复)

机动车

快元通

旋转励磁

一被复合

三级复合

静电感应

表示棚场效应

标准型

快速型

4.2半导体模块、组件型弓第部分李母

模块或组件型号第一部分字母及意义应符合表2的规定。表2

第一位字母

模拟或组件代号

第二位字母

分立器件类型代号

当前整流管

普通整流管

机动车用整流管

旅转整流管

快速整流管

可老晰品闸管

快速品告

逆导晶闻管

双向品阐节

背通晶管

MOS门控晶删管

静电密应晶剂管

整流营

晶闸管

混合贯

晶闸管

器件系列

电焊机用

非对称

可关断

快开通

绝缘惯

静出感应

第云位学母

电联结代号

见附录A

第一位字母

模块或组件代号

JB/T24231999

表2(完)

第二位字母

分文器件类理代号

单教晶体管

一复合晶体管

三级复合晶体管

静电应晶体管

缔缘栅双极型品体管

表而摄场效应品体管

第二位字母

电联结代号

一单元

三单元

四弟元

五单元

六单元

七单元

八单元

注:模块是各分立器件管芯相连接,并封装为不可拆卸的一整休的组个式器件。组件是各分立器件端了扫逆接。并用紧固件组装面成的组合式器件。组件一般可拆卸,拆卸后各分立器件应具有组装前的规定性能:5器件型号第二部分的裹示方法

5.1器件型号第二部分川阿拉伯数字依次表示器件的主电流(或直流输出电流)估和主电压(成点流输出电压)级数,两者之间以短划线分隔。3.2主电流(或占流输出电流)值(单位:A)按原值给出。主电流:对于晶闸管为正向平均电流,普通品闸管和快速品闸管等为通态平均电流,双向品闻管为通态方均根电流,可关断品闸管为可关断峰值电流,逆导品闸管用分式表示,分子为通态平均电流,分母为反向平均电流,品体管为集电极电流、桥式组件或模块为直流输出电凝。5.3主电压(或直流输出电压)级数与主电压(或直流输出电压)值(单位:V)的比例关系:除高压整流堆和高压整流组件的该比例为千分之一外,其它各型器件的均为百分之一,低于100V的电级数省去小数点、如主电压50V的级数为0.5。主电压:对于整流管系指反向重复峰值电,对于其它各型晶闸管系指反向車复峰值出压和断态重复峰值电压,对于品体管系指集电极一一发射极电压,对于桥式组件或模块系指直流输出电压。5.4包含型号第一,第二部分内容的型号为基本型号,器件的基本型号必须作为器件的标志之一给出,示例:

正向平均电流5A、反向重复峰值电压800V的普通整流管型号应为:ZP5-8。集电极电流200A、集电级——发射极电乐1200V的四级复合品体管型号应为:JC200—12。6器件型号第三部分的囊示方法

6.1型号第三部分用汉语拼音字母表采器件的特征参数和(或)重要参数,以及结构形式、冷却方式,型号这部分是否需要给出,如需要、给山何参数或内容由器件详细规范规定:6.2断态电压临界上升率、通态电流临界上升率、电路换向关断时间、换向电压临界1升本和反向恢复时问五个参数按亡母分级应符合规定B的规定。其它需分级的参数按有关详细规范规定,4

7器件型号第四部分

JB/T24231999

7.1型号第四部分用三位阿拉伯数字表示器件的规格序号,规格序号表示器件机械结构形式和全部或若干参数的组合。

7.2规格序号由器件制造厂编制,并报行业技术归口所核准备案。7.3如详细规范明确弹号不包括其第三部分,而又给出型号第四部分规格序号,则在型号第二,四部分数字之间以短划线分隔,以避免混滑:8器件的附件、部件和测试设备的型号8.1器件的散热器和管亢的型号

器件的铸造故热器、型材散热器和热管放热器的型号,应分别符合GB/T8446.1—1987的1.1,JB/T8157—1995的2.1和JB/T8757—1998的4.1的规足。散热器的绝缘件和紧固件的型号应分别剂合 GB/T 8446.3-~1988的1.1 和2.1 的规定器件的附瓷金属管壳、无氧铜管壳和机动车用整流管管壳的型号、应分别符合JB/T10097一1999的1.L,JB/T 6473—[992 的 3.1 和 JB/T 7623—1994 的 3.1的规定,8.2器件的部件型号

器件的门极组合件、管芯定位环和接插件的型号,应分别符合JB/T5835--1991的3.1,JB/T5%42—1991的3.1和B/T5843—1991的第3章的规定。8.3模块结构件和器件测试设备的型号电力半导体模块的结构件利氧化铝陶瓷坐片的型号,应分别符合JB/T8661一1997的第3章和JB8736—1998的第3章的规是。

9产品型号的管理

牛产各型整流管、晶闸管,晶体管,半导体模块、半导体组件及其作为产品的有关附件、部件、结构件和测试设备的企业。均应按《电力半导体器件产品型号管理办法》中请办理产品型弓注删于续。代子

JB/T24231999

附录A

(标难的附录)

电联结型式及代号

电联结型

来来来

来来来

本本本

本本本

本本本

JB/T24231999

表AI(续)

电联结型式

举举举

来来来

本本本

400 49404

电联结型式

更来来

T Te Te

本本本

本本本本

JB/T2423

表AI(完)

本本本本

申联结型式

本本本

¥来車

本本本本

本本本

本本本本工

本本本

JB/T2423

附录B

(标准的附录)

器件参数的级别

断态电压临界上升率(dv/dt)cr的级别按表B划分。表1

( dvfdt I cr

通态电压临界上升率(dvidt)cr的级别按表B2划分。表B2

( dvidt ) ur

电路换向关断时间tg级别按表B3划分。1

换间电压临界上升率dvfdt,t;的级别按表 B4划分。B4

(duct) cr

反向恢复时间tr的级别按表B5划分、tr

鑫魁鹭

JB/T2423

籁880b1230

19XXXX岭

100044

万段X/X

张矩XXX,XXX

19XX集XX舱

X爲鲽

德pxXX.XX翼

鱻极藕鲷

现行

北检院检验检测中心能够参考《JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法》中的检验检测项目,对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试,检测项目包含《JB/T 2423-1999 电力半导体器件 型号编制方法》中规定的所有项目,以及出厂检验、型式检验等。

热门检测项目推荐

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测:按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享:按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析:对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4,样品前处理:对产品进行预处理后,进行样品前处理,包括样品的采集与保存,样品的提取与分离,样品的鉴定以及样品的初步分析,通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析:根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测,然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

北检(北京)检测技术研究院