JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片

标准中涉及的相关检测项目

检测项目：

• 硅片的外观质量检查，包括表面缺陷、边缘破损等。
• 电气特性测试，如电阻率、载流子寿命等。
• 物理尺寸测量，如直径、厚度、公差等。
• 化学特性检查，包括杂质含量分析。
• 热特性检查，包括热导率等。

检测方法：

• 外观质量通过显微分析仪进行观察，以确定表面和边缘缺陷。
• 电阻率等电气特性通过四探针法或电感耦合等方法测试。
• 物理尺寸使用激光干涉仪或其他精密测量工具进行测量。
• 化学特性通过质谱分析或化学滴定法进行检验。
• 热特性使用热分析仪器进行测试，如差示扫描量热法（DSC）。

涉及产品：

• 用于电力半导体器件制造的硅圆片。
• 适用于各种类型的二极管、三极管、晶闸管等电力半导体元件。
• 可用于集成电路及光电子器件的硅基材。

这些检测项目和方法确保了硅圆片在质量和性能上的一致性，为其在电力半导体器件中的应用提供了可靠的基础。

JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片的基本信息

标准名：电力半导体器件用硅圆片

标准号：JB/T 7061-1993

标准类别：机械行业标准(JB)

发布日期：1993-10-08

实施日期：1994-01-01

标准状态：现行

JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片的简介

本标准规定了电力半导体器件用硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。本标准行之有效用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嬗变惨杂晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。JB/T7061-1993电力半导体器件用硅圆片JB/T7061-1993

JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片的部分内容

中华人民共和国机械行业标准

JB/T 7061 -1993

电力半导体器件用硅圆片

1993-10-08发布

中华人民共和国机械工业部

1994-01-01实施

中华人民共和国机械行业标准

电力半导体器件用硅圆片

1主题内容与适用范围

JB/T7061-1993

本标准规定了电力半导体器件用硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。本标准适用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嫂变掺杂单晶经切割、双面研磨制备的国形硅片。2引用标准

GB1550

GB1555

GB2828

GB6615

GB6618

GB6619

GB11073

GB12962

硅片分类

硅单晶导电类型测量方法

硅单晶晶向光图测量方法

逐批检查计数抽样程序及抽样表硅片电阻率的直排四探针测试方法硅片厚度和总厚度变化的测试方法硅片弯曲度的接触式测试方法

硅片径向电阻率变化的测试方法硅单晶

3.1导电类型及硅片类别

硅片按导电类型分为N型和P型，按硅单晶类别分为直拉、悬浮区熔和中子嬉变掺杂三类硅片。3.2牌号

硅单晶切割片和研磨片的牌号为：-Msi

CS(LS)

一电阻率范围(n·cm）

硅片直径尺寸(mm）

-CS表示切割片

LS表示研磨片

一硅单晶导电类型

硅片类别

硅片类别中CZ表示直拉法，FZ表示悬浮区熔法，NTD表示中子嬉变掺杂法。例如：FZ-MsiN-LS

51~60-60~80表示悬浮区熔N型硅单晶研磨片，直径为51~60mm，电阻率为60~80m.cm

4技术要求

机械工业部1993-10-08批准

1994-01-01实施

JB/T7061-1993

硅片的导电类型、电阻率、少子寿命、位错、晶向偏离度等物理参数应符合GB12962的规定。非等径硅片的技术参数应符合表1的规定，硅片厚度按用户要求。

产品名附

切割片

研磨片

技术参数

厚度偏差

总厚度变化

弯曲度

厚度偏差

总厚度变化

弯曲度

>40~50

直径范围

>50~60

等径硅片的技术参数应符合表2规定，硅片厚度根据用户要求。

产品名所

技术参数

直径偏差

厚度偏差

切割片

研磨片

总厚度变化

湾曲度

直经偏差

厚度偏差

总厚度变化

寄曲度

未例角

≤0. 005

>40~50. 8

0~-0.20mm。

套因片的直径偏差：（

硅片的晶向偏离度；≤3°。

表面质量

直径范围

>50.8~63.5

± 0. 020

≤0. 007

>63.5~76.2

>60~80

>80~100

>90~100

硅片崩边径向延伸符合表1、表2的规定，周边长不大于2mm，每片硅片朗边总数不超过二个。套圆片的崩边只允许单面存在，深度不超过片厚的0.5倍，数量不得超过三个。套圆片沿径向延伸的崩边长度不得大于0.3mm。非等径硅片沿径向延伸的缺口长度不得大于1mm，每片硅片的缺口不得超过二个。切割片允许其表面有呈正常弧状条纹的刀痕，刀痕深度不得大于0.01mm。研磨片应看不出划道。

硅片不允许有裂缝。

研磨片表面应无沾污和异常色彩斑点。2

试验方法

JB/T 7061 -1993

硅片导电类型测量按GB1550的规定进行，硅片电阻率测量按GB6615的规定进行。硅片径向电阻率变化测量按GB11073的规定进行，硅片晶向测量按GB1555的规定进行。硅片直用精度为0.02mm游标卡尺测量。硅片厚度和总厚度变化测量按CB6618的规定进行。硅片弯曲度测量按GB6619的规定进行。裂纹：8W荧光灯下目测，

8W荧光灯下目测。

缺口：

刀痕：8W荧光灯下目测或用刀痕深度测试仪测量。崩边：8W荧光灯下目测或用直尺测量。划道：8W荧光灯下目测。

对表面质量有争议时，用4～6倍故大镜目测。检验规则

每批硅片按表3进行检验。

抽样检验不合格批的硅片，可按加严方法检验，但只能追加一次。表

检验项目

电阻率范

径向电阻率变化

晶向偏离度

厚度偏茎

总厚度变化

弯曲度

直径偏差

引用标准

GB6615

GB11073

GB1555

GB6618

GB6618

GB6619

标志、包装、运输与贮存

检验方法

直排四探针法

直排四探针法

激光定向仪法

0.01mm千分尺

0.01mm千分尺

三球面支座夸曲度测试仪

0.02mm游标卡尺

在8W荧光灯下目测

在8W荧光灯下目测

在8W荧光灯下目测

在8W荧光灯下目测

在8W荧光灯下目测深度剩试仪

在8W荧光灯下目测

检验要求

合格判据

GB12962表2、表3、表4

GB12962表2、表3、表4

表1、表2

表1、表2

表1.表2

表2、4.4条

抽样方案【

mm、个表1、表2、4.6.1.4.6.2,4.6.3个

包装箱应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标记并注明：1.0

硅片名称；

硅片重量；

供方名称、地址及邮政编码。

包装盒上应注明：

供方名称；

硅片名称及牌号；

硅片数量、重量；

包装日期，

JB/T7061-1993

包装盒内应附有硅片合格证，合格证上应注明：供方名称；

硅片名称及牌号；

掺杂元索；

是向；

晶体编号：

炉号；

少子寿命；

位错：

厚度：

片数或重量；

检验员及厂检验部门印记；

本标准编号；

检验日期。

硅片先装入洁净的塑料袋中，再装入相应规格的盒子中，然后将盒子装入包装箱。包装应具有防碎、防损伤、防沾污措施。特殊的包装要求由供需双方商定，7.3运输

硅片在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛，采取防震、防潮措施。7.4贴存

硅片应贮存在洁净、干燥环境中。4

晶向：晶体结晶方向。

JB/T7061-1993

（补充件）

晶向偏离度：硅片法线与晶体结晶方向编离角度。硅片厚度：硅片中心厚度值。

厚度偏差：硅片中心点厚度的测量值与公称值之差、直径偏差；硅片直径的测量值与直径的公称值之差。总厚度变化：硅片五点厚度（中心一点和距边缘6mm处间隔90°的四点）间的最大值与最小值之差。弯曲度：硅片中线面的中心点处凸或凹形变的度量。缺口：

硅片边缘穿透两面的缺损。

崩边：7

硅片边缘不穿透两面的破损。

裂纹：硅片表面或穿透两面的破损。刀痕：硅片在切割时进刀与退刀和刀刃片磨擦引起的痕迹。划道；硅片在研磨时，引起的表面划伤。硅片圆周经加工倒出的圆弧状。倒角：

经滚磨或套圆加工有直径偏差的硅片，等径硅片：

非等径硅片：不进行直径滚磨或套圆的硅片。批量范围

91~150

151280

281~500

501~1200

1201~3200

3201~10000

祥品量

JB/T7061 -1993

附录B

AQL抽样表

(补充件）

合格判定数，Re：2

表中Ac：

不合格判定数。

附加说明：

本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所提出并归口。3

本标准由上海电器公司上海整流器总厂、上海电子器材厂负责起草。本标准主要起草人孙国范、王寿璞、董剑华、时俭新。1. 5

中华人民共和

机械行业标准

电力半导体器件用硅圆片

JB/T 7061 - 1993

机械科学研究院出版发行

机械科学研究院印刷

（北京首体南路2号

开本880×1230

19XX年XX月第X版

印数1-XXX

邮编100044）

字数XXX,XXX

印张X/X

19XX年XX月第X印刷

定价XXX.XX元

XX-XXX

机械工业标准服务网：http://www.JB.ac.cn661190

北检院检验检测中心能够参考《JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片》中的检验检测项目，对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试，检测项目包含《JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片》中规定的所有项目，以及出厂检验、型式检验等。

热门检测项目推荐

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。