北检(北京)检测技术研究院
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JB/T 7505-1994 离子镀 术语

北检院检测中心  |  点击量:13次  |  2024-11-30 16:23:32  

标准中涉及的相关检测项目

根据标准《JB/T 7505-1994 离子镀 术语》,以下是一些可能涉及的检测项目、检测方法以及涉及的产品:

检测项目:

检测方法:

  • 使用显微镜进行镀层厚度的测量
  • 维氏硬度计测试镀层的硬度
  • 划格法或拉拔法测试镀层附着力
  • 使用表面粗糙度仪进行测量
  • 盐雾试验用于评估耐腐蚀性
  • 磨损试验机进行耐磨性测试

涉及产品:

  • 工业用刀具
  • 汽车零部件
  • 电子元器件
  • 装饰性物品
  • 航空航天元件

上述信息是一种推测性概述,具体检测项目、方法和涉及产品可能在标准中有更详细的规定与描述,建议查看标准文件以获取准确详细的内容。

JB/T 7505-1994 离子镀 术语的基本信息

标准名:离子镀 术语

标准号:JB/T 7505-1994

标准类别:机械行业标准(JB)

发布日期:1994-10-25

实施日期:1995-10-01

标准状态:现行

JB/T 7505-1994 离子镀 术语的简介

本标准规定了真空离子镀专业常用的术语及定义。本标准适用于真空离子镀及与真空离子镀有关的过程。JB/T7505-1994离子镀术语JB/T7505-1994
本标准规定了真空离子镀专业常用的术语及定义。本标准适用于真空离子镀及与真空离子镀有关的过程。


JB/T 7505-1994 离子镀 术语的部分内容

中华人民共和国机械行业标准

JB/T7505—94

离子镀术语

1994-10-25发布

中华人民共和国机械工业部

1995-10-01实施

中华人民共和国机械行业标准

离子镀术语

本标准规定了真空离子镀专业常用的术语及定义。本标准适用于真空离子镀及与真空离子镀有关的过程。1一般概念

莫vacuumcoating

1.1真空镀膜

在真空条件下通过气相沉积过程在基本表面获得覆盖层的方法。物理气相沉积(PVD法)physicalvapordeposition1.2

JB/T750594

用物理的方法(如蒸发、溅射等)使镀膜材料汽化在基体表面沉积成覆盖层的方法。基体substrate

覆盖层支承体。

同义词:镀膜体。

镀膜材料coatingmaterial

制作覆盖层所用的源始材料。

同义词:镀膜物质。

溅射材料sputteringmaterial

用作溅射靶的材料。

同义词:靶材料。

覆盖层材料coatingsmaterial

构成覆盖层的材料。

同义词:覆盖层物质。

键膜速率coatingrate

单位时间内沉积于单位面积基体表面的覆盖层材料量。同义词:沉积速率。

1.8入射角incidentangle

入射到基体表面上的粒子方向与入射点法线之间的夹角。evaporatingangle

蒸发角

离开蒸发器表面的蒸汽流所形成的立体角。1.10溅射 sputtering

利用获能粒子所传递的动量使镀膜材料原子进入气相的过程。离子轰击ionbombardment

离子冲击电极表面并与电极相互作用的过程。离子轰击清洗ionbombardmentcleaning1.12

借助于离子轰击,使基体表面净化和活化的过程。膜-基界面film-substrateinterface1.13

机械工业部1994-10-25批准

1995-10-01实施

膜与基体间形成的界面。

离化率ionizationrate

JB/T7505-94

离子镀过程中,离化粒子占总粒子数的百分比。活化极activationpole

在离子镀装置中,为提高离化率而加入的电子发射极。蒸发率evaporatingrate

单位时间从蒸发源单位面积上蒸发出的镀膜材料量。偏压bias

偏离零电位施加于基体的偏置电压。2方法

2.1真空蒸镀vacuumevaporating加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。2.2反应真空蒸镀reactivevacuumevaporating通过气相反应获得所需化学组成和结构的覆盖层的真空蒸镀方法。2.3同时蒸镀simultaneousevaporating来自一个或多个蒸发源或溅射源的不同蒸发材料同时沉积在基体上的真空镀膜方法。2.4感应蒸镀inductionevaporating通过感应加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。2.5电子束蒸镀electronbeamevaporating通过电子束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。激光束蒸镀laserbeamevaporating2.6

通过激光束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。resistanceheating evaporating电阻加热蒸镀

通过电阻加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。2.8电弧蒸镀arcevaporating

通过电弧放电蒸发镀膜材料的镀膜方法。2.9离子束蒸馈ionbeamevaporating通过离子束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。空心阴极等离子电子束蒸镀hollowcathodeplasma-electronbeamevaporating2.10

通过由空心阴极内引出的高密度等离子电子束加热蒸发镀膜材料的镀膜方法。热阴极等离子电子束蒸镀hotcathodeplasma-electronbeamevaporating2.11

通过由热灯丝引出的高密度等离子电子束加热蒸发镀膜材料的膜方法。溅射镀sputtering

通过溅射沉积覆盖层的方法。

反应溅射镀reactivesputtering引入化学反应的溅射镀。

2.14偏压溅射镀bias sputtering在基体上施加偏压的溅射镀。

2.15直流二极溅射镀d.c.diodesputtering在两极之间施加直流电压的溅射镀。2.16不对称的交流溅射镀

asymmetrica.c.sputtering

在两极之间施加不对称交流电压的溅射镀。2

射频溅射镀R.F.diodesputtering在两极之间施加射频电压的射镀。三极溅射镀triodesputtering

在两极之间引入活化极的溅射镀。离子束溅射镀ionbeamsputtering采用离子束源的溅射镀。

磁控溅射镀magnetronsputteringJB/T7505-94

采用磁场束缚靶面附近电子运动的溅射镀。离子镀ionplating

在基体上施加偏压,产生离子对基体和覆盖层的持续轰击作用的真空镀膜方法。同义词:离子沉积。

反应离子镀reactiveionplating引入化学反应的离子镀。

activated reactiveevaporation活性反应离子镀(A.R.E)

利用电子束蒸发并通过活化极活化的反应离子镀。空心阴极离子镀(H.C.D)hollowcathodedeposition利用空心阴极发的离子镀。

热阴极离子镀hotcathodedeposition利用热阴极蒸发的离子镀。

射频离子镀(R.F.I.P)radiofrequencyionplating2.26

利用射频辉光放电活化的离子镀。2.27

磁控溅射离子镀magnetronsputteringionplating利用磁控溅射蒸发源的离子镀。2.28电弧离子镀arcionplating

利用电弧蒸发的离子镀。

团束离子镀ionizedclusterbeamdeposition2.29

利用加热蒸发,使镀膜材料以原子团状从中喷出的离子镀。3装置

3.1蒸发源evaporationsource

用以产生镀膜材料的装置。

同义词:蒸发器。

3.2靶target

溅射装置中由溅射材料组成的电极。磁控靶magnetrontarget

用于磁控溅射的靶。

电弧源arcsource

用于电弧蒸发的源。

基体夹具substrateholder

用于直接夹持基体的装置。

加热装置heatingdevice

加热基体到所要求的温度的装置。3.7冷却装置coolingdevice

冷却或限制基体到一定温度的装置。附加说明:

JB/T7505-94

本标准由全国金属与非金属覆盖层标准化技术委员会提出。本标准由机械工业部武汉材料保护研究所归口。本标准由大连大学、沈阳金属研究所、武汉材料保护研究所负责起草。本标准主要起草人朱英臣、陈伟荣、周福堂、闻立时。中华人民

民共和

机械行业标准

离子镀术语

JB/T7505--94

机械工业部机械标准化研究所出版发行机械工业部机械标准化研究所印剧(北京8144信箱邮编100081)

版权专有不得翻印

开本880×12301/16印张1/2

2字数8.000

1995年10月第一版1995年10月第一次印刷印数00.001-500定价3.00元

编号94-282

现行

北检院检验检测中心能够参考《JB/T 7505-1994 离子镀 术语》中的检验检测项目,对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《JB/T 7505-1994 离子镀 术语》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试,检测项目包含《JB/T 7505-1994 离子镀 术语》中规定的所有项目,以及出厂检验、型式检验等。

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检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验,获取相关数据资料;

出具检测报告。

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1、指标检测:按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享:按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析:对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

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