GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范

标准中涉及的相关检测项目

检测项目：

• 尺寸检查：包括引线长度、宽度、厚度等的精确测量。
• 物理性能测试：引线框架的强度、硬度及韧性等测试。
• 表面质量检查：对引线框架表面平整度、光洁度及无损伤的检测。
• 电性能测试：包括电导率及接触电阻的测量。
• 耐环境性能测试：如耐高温、耐湿度、耐腐蚀等性能的检测。

检测方法：

• 使用精密量具进行尺寸测量，如卡尺、千分尺等。
• 利用拉力测试仪或硬度计等设备进行物理性能测试。
• 使用显微镜或其他表面检测仪器进行表面质量检查。
• 通过四线电阻测量法或其他专业设备进行电性能测试。
• 进行高温炉、恒温恒湿试验箱等的环境模拟测试。

涉及产品：

• 蚀刻型双列封装（DIP）引线框架。
• 相关的半导体封装组件和设备。
• 电气连接部件及其他相关电子元器件。

以上信息为该标准的核心检测维度，具体的实施细节和技术要求应根据标准文本中的详细描述来执行。

GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范的基本信息

标准名：蚀刻型双列封装引线框架规范

标准号：GB/T 15877-1995

标准类别：国家标准(GB)

发布日期：1995-01-02

实施日期：1996-08-01

标准状态：现行

GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范的简介

本规范规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架的技术要求及检验规则。本规范适用于半导体集成电路塑料双列封装引线框架，其他封装形式引线框架也可参照使用。GB/T15877-1995蚀刻型双列封装引线框架规范GB/T15877-1995

GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范的部分内容

中华人民共和国国家标准

蚀刻型双列封装引线框架规范

Specificatlon of DiP leadframes produced by etching1主题内容与适用范围

GB/T 15877-1995

1.1主题内容

本规范规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。

1.2适用范围

本规范适用于半导体集成电路塑料双列封装引线框架，其他封装形式引线框架也可参照使用。2引用标准

GB7092—93半导体集成电路外形尺寸GB/T14112—93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113-93半导体集成电路封装术语SJ/Z9007--87计数检查抽样方案和程序3术语,符号、代号

本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4技术要求

4.1设计

引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4.1.1引线键合区的量小面积

引线键合区应保证其宽度不小于0.2mm，长度不小于0.635mm，由于蚀刻工艺中的钻蚀是难以避免的，并将产生端头倒圆现象，因此在长度计量时应从距端部0.25mm处起进行计算。4.1.2金属间的间隔

引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之闻的距离不小于0.15mm4.2引线框架形状和位置公差

4.2.1引线框架的侧弯应小于标称条长的0.5%。4.2.2引线框架的卷曲应小于标称条长的0.3%。4.2.3引线框架的横弯

引线框架的最大横弯尺寸应符合表1的规定。国象技术监督竭 1995-12 -22 批准1996-08-01实施

引线数

4B 和 48以上

CB/T15B77—1995

24. 64 ~ 25. 40

27.18~~27.94

29. 72~30. 48

32. 26~-33. 02

37.34 ~~38+10

42.42~~43.18

56. 66~58- 42

60. 96-~67. 82

4.2.4引线框架的扭曲应小于0.5mm，4.2.5引线框架的内引线扭曲应不大手0.01mm4.2.6引线框架精压区端头共面性应不小于0.1mm。4.2.7引线框架精压区深度应不大于材料厚度的1/3。横弯（量大值）

4.2.8芯片粘接区的斜度从拐角测量，在每2.54mm长或宽的距离内，对未精压的粘接区，斜度最大为0.025tnm，对精压的粘接区，斜度最大为0.050mm。4.2.9芯片粘接区的平面度

在芯片粘接区的四个固定点（支承条两个连筋）与基准面之间的平面度应符合表2的规定。表2

引线数

18~ 64

4.3引线框架的外观

4.3.1毛刺

粘接区平面度

+0. 070/—0. 127

+0. 152/ -0. 076

引线框架连筋内侧的任何位置垂直毛刺不得大于0.025mm，连筋外侧的垂直毛刺和任何位置上的水平毛刺不得大于0.051mm。

4.3.2西坑

在引线键合区端部0.635mm和芯片粘接区周界0.508mm范圈内，不能有直径大于0.013mm，深度超过0.008mm、数量多于1个的凹坑。在芯片粘接区周界0.5mm以内的功能区不能有直径大于0.130mm、深度超过金属材料厚度50%，数量多于2个的凹坑：其余非功能区不能有直径大于0.5mm深庭超过金属材料厚度50%，数盘多于3个的凹坑。4.3.3划痕

在引线框架引线键合区和芯片粘接区有效区域内不能有最大尺寸：0.050mm×0.025mm×0.010mm，数盘多于1个的划痕，其它部位不能有最大尺寸：0.150mm×0.075mm×0.030mm，数量多于3个的划痕。

4.3.4表面缺陷

无镀层部位应呈材料金属本色，无锈蚀、发花等缺陷。4.4引线框架镀层

GB/T 15877—1995

4.4.1镀层厚度

4.4.1.1局部镀金引线框架，其镀金层厚度不小于1.0um。4.4.1.2局部镀银引线框架，其镀银层厚度不小于3.8um。4.4.2镀层外观

键层表面致密，色泽均匀并呈镀层金属本色，不允许有起皮、起泡、剥落、发花，斑点、异物、划伤、沾污、水迹和锈蚀等缺陷。

4.4.3镀层耐热性

镀层经高温试验后应无明显变色.不允许有起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。4.4.4镀层键合强度

引线框架内的引线键合区应易于键合，键合强度大于40mN。4.5引线架外引线强度

引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。5检验规则

5.1检验批的构成

一个检验批可由一个生产批或由符合下述条件的几个生产批构成。这些生产批是采用相同的材料、工艺、设备等制造出来的+o

每个生产批的检验结果表明材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质b.

量水平，

若干生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除另有规定外，最长不得超过一个月。5.2检验项目及要求

引线框架的检验项目见表3,标有（D)的试验为破坏性试验，表3中所引用的试验方法系指GB/T14112附录中规定的方法，AQL抽样方案按SJ/Z9007的规定，抽样数以条为计量单位。麦3

检验或试验

形位公差

镀层厚度

镀层耐热性(D)

键合强度()

外引线强度(D)

试验方法

目测或满足测量精度的量

具测素,毛刺按附录 A 的

检验要求

按本规范4.3及4.4:2

用满足测量精度的盘具测

量，金遇间距按附录A的

按本规范 4.1

附录A的A1～A6,A8和

链层测厚仪或其他等效方

附录 B的 B1

附录B的B2

附录B的B3

按本规范4.2

按本规范4.4.1条

按本规范4. 4.3条

按本规范4.4.4条

按本规范 4. 5 条

6订货资料

GB/T 15877-1995

若无其他规定，订购引线框架时至少需要以下资料：产品型号规格；

b．数量：

c产品图纸和图号：

d.材料名称和规格，

e。任何其他细节（适用时)。

7标志、包装、运输、贮存

7.1标患

引线框架包装盒上应有如下标志：a。厂名或商标；

b.产品名称、型号、规格，

。产品标准编号；

d、数量；

e.生产日期；

1、检验批识别代码和检验员代号。7.2、包装

引线框架内包装采用中性防潮纸，并保证产品不受污染和不变形。中间包装应采用纸盆和塑料袋，内装产品合格证，并保证在运输过程中不受损坏。外包装采用瓦榜纸箱或木箱，并注明“防潮、防虑”等字样。

7.3运输

产品的包装能适应任何交通工具的运输，并在运输过程中能防止耐淋、受潮和破损。7.4存

7.4.1产品应贮存在环境温度为10℃～35℃，相对湿度不大于80%的通风、干燥、无腐蚀性气体的库房内。

7.4.2自出厂日期起有镀层引线框架保存期为3个月，无镀层引线框架保存期为6个月。附加说明：

本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准由宁波集成电路元件厂、西安微电子技术研究所负责起草。本标准主要起草人陈雪尧、王先睿、赦风荣。

北检院检验检测中心能够参考《GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范》中的检验检测项目，对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试，检测项目包含《GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范》中规定的所有项目，以及出厂检验、型式检验等。

热门检测项目推荐

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。