GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号

标准中涉及的相关检测项目

标准《GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号》主要涉及对半导体分立器件的文字符号的规定。关于检测项目、检测方法以及涉及的产品，标准中并不是主要描述这方面的内容，而是侧重于标识和标记的统一性。然而，在与半导体分立器件相关的其他标准中，通常可能涉及以下内容：

• 电气性能测试：如击穿电压、漏电流、电容、电阻等。
• 热性能测试：如热阻、结温等。
• 机械性能测试：如尺寸、外观等。
• 环境适应性测试：如温度循环、湿度、振动等。

• 直流电参数测试：使用示波器、电源分析仪等仪器。
• 交流电参数测试：使用LCR表等。
• 热特性测试：例如通过热耦合测试。
• 环境压力测试：如高低温测试箱、振动台等设备进行。

• 二极管（如整流二极管、稳压二极管等）。
• 三极管（如NPN、PNP型晶体管等）。
• 场效应管（如MOSFET、JFET等）。
• 可控硅（如SCR、TRIAC等）。

需要注意的是，具体的检测项目和方法会依据具体产品标准或行业惯例进行调整。在查阅具体的标准文件时，需要结合相关的产品检测标准综合考虑。

GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号的基本信息

标准名：半导体分立器件文字符号

标准号：GB/T 11499-2001

标准类别：国家标准(GB)

发布日期：1989-03-03

实施日期：2002-06-01

标准状态：现行

GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号的简介

本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。GB/T11499-2001半导体分立器件文字符号GB/T11499-2001

GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号的部分内容

GB/T11499——2001

本标准参照了下列国际标准的有关文字符号的内容，对GB/T11499—1989进行修订：IEC60747半导体器件分立器件和集成电路IEC60747-11983

IEC 60747-1:1991

IEC60747-1.1993

IEC60747-1:1996

IEC 60747-2:2000

IEC 60747-3.1985

IEC 60747-3:1991

IEC60747-3:1993

IEC60747-4:1991

IEC 60747-4:1993

IEC 60747-4:1999

IEC60747-5:1992

IEC60747-5:1994

IEC60747-5:1995

IEC60747-6:1983

IEC60747-6:1991

IEC60747-6:1994

IEC60747-7.1988

IEC 60747-7:1991

IEC 60747-7:1994

IEC60747-8.1984

IEC60747-81991

IEC 60747-8:1993

IEC60747-9:1998

第1部分总则

第一次补充

第二次补充

第三次补充

第2部分整流二极管

第3部分信号二极管（包括开关二极管)和调整二极管第一次补充

第二次补充

第4部分微波器件

第一次补充

第二次补充

第5部分光电子器件

第一次补充

第二次补充

第6部分闸流晶体管

第一次补充

第二次补充

第7部分双极晶体管

第一次补充

第二次补充

第8部分场效应晶体管

第一次补充

第二次补充

第9部分绝缘栅双极晶体管

本标准与原标准的主要差别是：-原标准全文中“功率耗散”都改为“耗散功率”；-修改了原标准中2.1.1.2大写基本字母”；-修改了原标准中\2.1.3电流、电压和功率文字符号规则汇总表”；一修改了原标准中2.3其他量的文字符号”；一修改了原标准中“2.4其他参数”中的部分内容；一删除了原标准中“6.2.2.2其他”中的部分内容；-补充了“2.1.5电流、电压极性标记”，补充了\2.5用分贝（dB)表示的以对数形式为单位的信号比的文字符号”；-补充了“6.1.1开关时间”

一补充了“第9章绝缘栅双极晶体管”。1

GB/T11499—2001

本标准自实施之日起，代替GB/T11499—1989《半导体分立器件文字符号》。本标准由中华人民共和国信息产业部提出。本标准由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口。本标准由河北半导体研究所负责修订。本标准主要起草人：崔波、顾振球、陈海蓉。本标准首次发布时间：1989年3月31日。1范围

中华人民共和国国家标准

半导体分立器件文字符号

LettersymbolsfordiscretesemiconductordevicesGB/T11499—2001

代替GB/T11499—1989

本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。

2总则

2.1电流、电压和电功率的文字符号2.1.1基本字母

推荐的基本字母有：

I——电流

U,u或V,—

一电压

P,p——功率

2.1.1.1大写基本字母的使用

大写基本字母用来表示量的恒定值或从量的周期性波形中得到的值：a）直流值；

b）最大（峰)值；

c）平均值；

d）方均根值；

e）峰峰(摆幅)值。

2.1.1.2小写基本字母的使用

小写基本字母用来表示量的周期性波形的瞬态值。2.1.2下标

2.1.2.1推荐的通用下标

第一下标;F，f—一正向

n——噪声

R,r——反向

其他下标：(AV)——平均值

(BR)——击穿

(cr),cr——临界

(D)一直接

M(MAX)，m(max)一相对于时间的最大(峰）值MIN,min-

相对于时间的最小(峰)值

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局2001-11-05批准2002-06-01实施

0.0一一开路

(ov)——过载

(PP),(pp)—峰峰,摆幅

R,r——重复，恢复

(R.M.S.),(r.m.s.)

S,s—短路，浪涌

(tot），tot——总值

GB/T11499—2001

一方均根值

注：推荐的其他下标，可见本标准的其他各章。2.1.2.2大写和小写下标的选择

在2.1.2.1中同时列出了大写和小写字母的地方，采用大写字母还是小写字母，应符合2.1.2.2.1和2.1.2.2.2的要求。如果采用的下标多于一个，则应全用大写字母或全用小写字母。2.1.2.2.1大写下标的使用

大写下标用来表示总量：

a）直流值，例如：B(O)，Is

b）总的瞬态值，例如：；

c）总的平均值，例如：IB(AV)；d）总的最大（峰)值，例如：IBM；e）总的方均根值，例如：Is(RMS)；f)总的峰峰值，例如;Vo(FP)。

2.1.2.2.2小写下标的使用

a）小写下标仅用来表示变化的分量值（包括小信号调制)即：1）交变分量的瞬态值

例如；动

2）交变分量的最大(峰)值

例如：Iom

3）交变分量的方均根值

例如：或Ib(rma）

注：推荐使用Ib(m）

4）交变分量的峰峰值

例如：V。(mp)）

b）当与大写下标一起使用时，可以省略其必须的括号例如：VCEat

2.1.2.3关于下标的补充规定

2.1.2.3.1电流的下标

a）如果需要指明电流流过的引出端，则用第一个下标来表示（除去例外）。电流流过的另一引出端可用随后的下标表示。

例如：品体管的基极电流1s

V=0的晶体管集电极发射极截止电流Ices场效应晶体管正向栅流IGF

b）例外：在闸流管正、反向栅极电流的文字符号中，字母“F”或\R”分别放在引出端符号下标的前面。

例如：闸流管正向栅流IpG

闸流管反向栅流IRG

2.1.2.3.2电压的下标

GB/T11499—2001

a）如果需要指明被测电压的两个端点，则可用前两个下标表示(除去例外)。第一个下标表示器件的一个端点，第二个下标表示参考点或电路的节点。当不发生混时，表示参考点的字母可以省略。例如：晶体管VB一0时的集电极-发射极（直流）电压晶体管基极-发射极电压

场效应晶体管正向栅源电压

b）例外：

1)P型闸流管正向栅极电压

P型闸流管反向栅极电压

N型闸流管正向栅极电压

N型闸流管反向栅极电压

VB或VB

2）击穿电压的文字符号，下标(BR)放在引出端下标前面例如：

Is0时集电极-发射极击穿电压

2.1.2.3.3电源电压和电源电流的下标V(BR)CEO

电源电压和电源电流可用重复相应引出端的下标来表示。例如：Vcc，IE

注：如果需要指明参考引出端，则要使用第三个下标。例如：UcCE或VcCR

2.1.2.3.4具有多个同种引出端器件的下标如果器件的同种引出端多于一个，则下标用相应引出端的文字符号并在其后面跟着一个数字来表示；在多个下标的情况下，需加上连字符号，以免误解。例如：Is2—一流经第二基极引出端的直流电流2.1.2.3.5复合器件的下标

对于复合单元器件的下标，改用一个数字再加上一个下标字母来表示，在有多个下标的情况下，需加上连字符号，以免误解。

例如：12c一一流经第二单元集电极引出端的直流电流Vic—2c-

第一单元和第二单元集电极引出端之间的直流电压。2.1.3电流，电压和功率文字符号规则汇总表下表是对2.1.1和2.1.2各项规则的应用说明。基本字母

小写（i）

电极或引

出端下标

仅对引出端下标：

·交变分量的瞬态值

仅对引出端下标：

大写(I,,P)

·交变分量的方均根值(推荐使用附加下标(r.m.s.))带有引出端下标和下列附加下标之一的：“m：交变分量的最大瞬态值

·min：交变分量的最小瞬态值

.(r.m.s）：交变分量的方均根值·(pp),交变分量的峰峰值

电极或引

出端下标

2.1.4规则应用示例

小写（）

仅对引出端下标：

·总的瞬态值

GB/T11499—2001

表 (完)

基本字母

大写(I,,P)

仅对引出端下标：

：直流电流或电压值（推荐使用附加下标(D))带有引出端下标和下列附加下标之一的：·(D)：直流电流或电压值

·(AV)：总平均值

?M：总的最大瞬态值

·MIN：总的最小瞬态值

·(R.M.S)：总的方均根值

·(PP)：总的峰峰值

图1表示的是由直流和交变分量组成的晶体管集电极电流。fen:%

交变分至

交变分室

的瞬态借

直流分里

总平均值

2.1.5电流、电压极性表示

总瞬态估

交变办量最

大(峰）值

总最人值

商方报值

Fery e

总峰峰值

交变分母最

小（幢）俏

总救小值

周期量的规则应用示例

（交变分其的）

总均方

注：下面叙述的这种表示方法，只有当基本文字符号或负文字符号分别按2.1.2.3.1和2.1.2.3.2构成时才适用，也就是说对于基本规则没有例外。当不是用这种方式表示时，应该给出极性表示的合适方法。例如正向/反向栅极电流/电压，这种表示方法是定义的一部分。

2.1.5.1电流（流过一个引出端）2.1.5.1.1基本文字符号

基本文字符号Ix，如果电流是从外电路流入端口X，就认为它是正值。如果电流是从端口X流出外电路则认为它是负值。

2.1.5.1.2负文字符号

负文字符号一Ix，如果电流是从外电路流入端口X，就认为它是负值。如果电流是从端口X流出外4

电路则认为它是正值。

GB/T11499—2001

注：它遵循代数规则：即Ix=—5A可表示为—Ix=5A。2.1.5.2电压（二端口之间）

2.1.5.2.1基本文字符号

当用基本文字符号Vx表示电压时，如果端口X比端口Y电位高，则认为电压为正值。如果端口X比端口Y电位低，则认为电压为负值。2.1.5.2.2负文字符号

当用负文字符号一Vx表示电压时，如果端口X比端口Y电位低，则认为电压为正值。如果端口X比端口Y电位高，则认为电压为负值。注，它遵循代数规则：即，Vxy=一5V可表示为一Vxy=5V。2.2电参数的文字符号规则

2.2.1定义

在本标准中，“电参数”这一术语适用于四端矩阵参数，等效电路元件、阻抗和导纳、电感和电容。2.2.2基本字母

2.2.2.1推荐的基本字母

下面列出了用于半导体器件电参数的重要的基本字母。B,b—一电纳;四端矩阵导纳参数()的虚部C—电容

G，g——电导；四端矩阵导纳参数(gy)的实部H，h——四端矩阵的混合(h)参数L—电感

一电阻；四端矩阵阻抗参数(Z)的实部R,r-

X，—电抗;四端矩阵阻抗参数(z)的虚部Y,y

Z,z—

一导纳;四端矩阵导纳参数(Y)

阻抗；四端矩阵阻抗参数（Z）

2.2.2.2大写字母的使用

大写字母用来表示：

a）外电路的电参数或器件仅作为其中一部分的电路的电参数b）各种电感、电容

2.2.2.3小写字母的使用

小写字母用来表示器件固有的电参数（电感和电容除外，见2.2.2.2中的b)。2.2.3下标

2.2.3.1推荐的通用下标

下面列出了用于半导体器件电参数的重要的通用下标：Ff—正向；正向传输

I,i——输入

0，0输出

T耗尽层

R,r——反向反向传输

11——输入

22——输出

12——反向传输

21——正向传输

仅用于四端矩阵参数，见2.2.3.35

1——输入

2输出

GB/T11499—2001

可用于除四端矩阵参数之外的所有电参数注：推荐的其他下标，可见本标准的其他各章。2.2.3.2大写和小写下标的选择

在2.2.3.1中同时列出了大写和小写字母的地方，采用大写字母还是小写字母应符合2.2.3.2.1和2.2.3.2.2的要求。如果采用的下标多于一个，则应全用大写字母或全用小写字母。例如：hE，YRE，ht

2.2.3.2.1大写下标使用

大写下标用来表示静态(直流)值。例如：h21E或hFE—一共基极组态中正向电流传输比的静态值Re—一发射极外接电阻的直流值2.2.3.2.2小写下标的使用

小写下标用来表示小信号值。

例如：h2le或he一共发射极组态中，短路正向电流传输比的小信号值Z=R。十iX。—外接阻抗的小信号值2.2.3.3四端矩阵参数的下标

四端矩阵的每个参数按如下规则来规定：a）第一下标

第一字母下标或两个数字的下标（均选自2.2.3.1中的下标）表示输入，输出、正向传输或反向传输。

例如：hu或ht

h22或h。

h2或ht

h12或hr

b）第二下标

第二下标是用来表示电路组态的。在不会发生混淆时，这些下标可以省略。例如：h21e或he，h2或hFE

如果只写为ht，则电路组态必须是已知的。如果只写为h2，则电路组态及参数类别（小信号值或静态值)都必须是已知的。

2.2.4实部和虚部的区分

如果需要区分电参数的实部和虚部，不必再附加新的下标。如果已经有了实部和虚部的基本符号，则可采用。

例如：Z=R。十iX。

ye=Gh十iBe

如果还没有这种符号、或虽有但不适用，则应使用下面的符号：-R（h11b）等，表示h116等的实部；—Imh11b）等，表示h11等的虚部。2.3其他量的文字符号

2.3.1时间、持续时间

基本文字符号是t

例如：上升时间t

2.3.2热特性和有关的温度

2.3.2.1温度的基本文字符号

GB/T11499—2001

基本文字符号是T，表示摄氏温度或热力学温度。例如：T-25℃，T。-295K

注：反对用小写字母t表示温度。2.3.2.2推荐的通用下标

j,J——结(沟道)(见注1)

vj,VJ——有效结(沟道)；内部等效结（见注1和注2)c,C——壳（见注3)

ch——沟道（见注1)

一参考点（见注3）

a，A——环境（见注3注4）

s,s——热沉

f,F——致冷液，非空气的

sb——衬底

一存贮

一焊接

工作（见注4）

1下标j(或J),vj(或VJ)可以代替ch来表示“沟道”2在数据记录和详细规范中通常指有效结(沟道)温度，因此下标中字母V可以省略。3不要使用像“case”，“ref”“amb”这样很长的下标，当用它们表示热阻或阻抗时，应把它们用连字符分开并加括号，例Ra(-amb)。

在工作温度的文字符号中，例如用Taop表示“工作环境温度”，在不引起混淆的前提下，下标op通常在数据记录4

中省去。

2.3.2.3热阻和热阻抗的文字符号的组成注：在推荐的文字符号中，字母x，y或X，Y表示热阻或热阻抗展开的点阵或区域。这些下标应从2.3.2.2中选取。2.3.2.3.1热阻

基本构成是：Ra(-)，Ra(x-Y)

2.3.2.3.2瞬态热阻抗

基本构成是：Ztm(x-y)，Zth(x-Y)2.3.2.3.3脉冲条件下的瞬态热阻抗基本构成是：Zthp(x-y)，Zthp(x-Y)2.3.3频率

基本符号是于

例如：fmax

2.4其他参数

最高振荡频率

推荐使用下列参数符号：

K.热降额系数

F,FAv——平均噪声系数

F——点噪声系数

N.—输出噪声比

V。——(两端口)等效输入噪声电压1.——(两端口)等效输入噪声电流T.—噪声温度

T。Tm——基准噪声温度

GB/T11499—2001

2.5用分贝(dB)表示的以对数形式为单位的信号比的文字符号2.5.1功率比

符号“dB”用来表示两个功率值的比取以10为底的对数，并用分贝表示时的对数单位，用下面公式表示：

n=10lg(P/P2)dB

注：原则上符号*dB”只能表示功率的比，也见2.5.2的注。2.5.2电压比（或电流比）

-*++*-+.(1)

符号\dB(V)”(或“dB(I)”)用来表示两个电压值(或电流值)的比取以10为底的对数并用分贝表示时的对数单位，用下面公式表示：n=20lg(Vi/V2)dB(V)

或n=20lg(I/12)dB(I)

....(2)

..........( 3)

注：当并且只当V和V(或I1和12)的电阻相等或差异可以忽略不计时.公式（2)或（3)计算所得的数值可以用dB表示，因为对应于功率的公式(1)的应用可以得到同样的值。3整流二极管

3.1整流二极管通用下标的补充规定3.1.1电压、电流和功率的下标

A，a——阳极

K,k——阴极

O整流输出的平均值

(TO)阈值

3.1.2电参数的下标

T——斜率

R,r——恢复，整流

一工作

3.2文字符号表

3.2.1电压

正向直流电压

反向直流电压

正向峰值电压(最高正向电压)

正向平均电压

反向工作峰值电压(最高反向工作电压)反向重复峰值电压(最高反向重复电压)反向不重复峰值电压(反向瞬态峰值电压)正向恢复电压

正向恢复峰值电压

击穿电压

瞬态击穿电压

正向斜率电阻

阀值电压

文字符号

Io为规定值

其中部分符号的示意图见图2

3.2.2电流

正向直流电流

正向重复峰值电流

正向电流方均根

正向过载电流

正向（不重复）浪涌电流

整流输出平均电流

反向直流电流

反向平均电流

正向平均电流

反向恢复电流

反向恢复峰值电流

壳体非破坏峰值电流

GB/T11499—2001

图2整流二极管反向电压参数的文字符号示意图称

文字符号

Ig(av)

其中部分符号的示意图见图3

Io为规定值

图3整流二极管正向电流参数的文字符号示意图9

3.2.3功率

正向耗散功率

反向耗散功率

开通耗散功率

开通平均耗散功率

开通瞬态总耗散功率

开通峰值耗散功率

关断耗散功率

关断平均耗散功率

关断瞬态总耗散功率

关断峰值耗散功率

反向重复峰值耗散功率

反向（不重复)浪涌耗散功率

3.2.4开关

正向恢复时间

反向恢复时间

反向恢复电流上升时间

反向恢复电流下降时间

恢复电荷

上升时间电荷

下降时间电荷

（反向恢复）软性因子

3.2.5其他

整流效率

转折点温度

结温升

温度系数

正向电流衰减率

脉冲时间

重复频率

反向重复峰值能量

反向不重复峰值能量

文字符号

GB/T11499—2001

文字符号

Per(AV)

PBQ(AV)

文字符号

T oreak

4信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管4.1信号二极管（包括开关二极管）t

4.1.1信号二极管（包括开关二极管）下标的补充规定4.1.1.1电压、电流和功率的下标10

北检院检验检测中心能够参考《GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号》中的检验检测项目，对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试，检测项目包含《GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号》中规定的所有项目，以及出厂检验、型式检验等。

热门检测项目推荐

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。