SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法

标准中涉及的相关检测项目

标准《SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法》涉及的检测项目和检测方法主要集中在对MOS场效应晶体管进行快速筛选，以确保其在热敏条件下的可靠性能。以下是标准中可能提到的相关检测项目和方法：

• 漏电流测试：在高温和低温下测试漏电流的变化，确保晶体管在不同温度下仍能保持低漏电流。
• 门极电压测试：测量在不同温度下，门极开启电压的变化，以验证温度对器件开启特性的影响。
• 跨导测试：评估跨导在温度变化下的稳定性。
• 阈值电压测试：测定温度变化对阈值电压的影响。
• 击穿电压测试：评估在热条件下晶体管的最大击穿电压。

• 高低温模拟测试：通过环境试验箱模拟高温和低温条件，评估器件的热敏反应。
• 参数测量仪器：使用精确的测量仪器在不同温度下测量相关电气参数。
• 自动测试系统：采用自动化测试系统快速、大批量地进行筛选和评估。

• 各种类型的MOS场效应晶体管，包括应用于功率放大、开关电源等领域的产品。
• 需要在温度变化范围内保持良好性能的半导体器件。

通过这些检测项目和方法，可以确保MOS场效应晶体管在产品应用中表现出优良的热稳定性和可靠的电性能。

SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法的基本信息

标准名：MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法

标准号：SJ 20789-2000

标准类别：电子行业标准(SJ)

发布日期：2000-10-20

实施日期：2000-10-20

标准状态：现行

SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法的简介

SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法的部分内容

北检院检验检测中心能够参考《SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法》中的检验检测项目，对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试，检测项目包含《SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法》中规定的所有项目，以及出厂检验、型式检验等。

热门检测项目推荐

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。