SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南

标准中涉及的相关检测项目

检测项目：

• 电性能测试：包括击穿电压、漏电流、导通电阻等参数的测量。
• 热性能测试：器件在不同温度条件下的性能表现，如热阻测试。
• 封装可靠性测试：耐湿性、机械应力、热循环等测试。
• 老化测试：通过加速寿命测试评价器件的长期可靠性。
• 外观检查：查看产品的外观是否符合质量标准，包括无裂纹、无污染等。

检测方法：

• IV特性曲线测试：使用仪器测量器件的电流-电压特性曲线。
• 热成像检测：使用红外热成像仪检测器件的热分布。
• 应力测试：通过施加机械强度或加速环境变化进行测试，如温度循环测试。
• 老化测试设备：利用高温、高湿等加速条件进行长时间的老化测试。
• 光学显微镜观察：使用显微镜检查器件表面的详细结构。

涉及产品：

• 晶体二极管
• 晶体三极管
• 场效应管（MOSFET、JFET）
• 整流器件
• 功率半导体器件，如IGBT、功率MOSFET
• 光电半导体器件，如LED、光电二极管

该标准可能涵盖的内容范围很广，并提供了详细的指导原则供半导体制造商和检测机构参考。具体的检测项目和方法应该结合产品的特性和应用场景来确定。

SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南的基本信息

标准名：半导体分立器件结构相似性应用指南

标准号：SJ 20756-1999

标准类别：电子行业标准(SJ)

发布日期：1999-11-10

实施日期：1999-12-01

标准状态：现行

SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南的简介

本指南为GJB33A-97《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件(以下简称器件)的鉴定(含鉴定扩展)和质量一致性检验。SJ20756-1999半导体分立器件结构相似性应用指南SJ20756-1999

SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南的部分内容

中华人民共和国电子行业军用标准FL.5961

SJ 20756--1999

半导体分立器件结构相似性

应用指南

Guideline for application of structruallysimilarity of discrete semiconductor deviees1999-11-10发布

1999-12-01实施

中华人民共和国信息产业部批准1范围

1.1主题内容

1.2适用范围·

1.3应用目的

2引用文件

3要求

一般要求

3.2详细要求

4结构相似性在鉴定扩展中的应用5结构相似器件判别规则…

6结构相似器件抽样示例

niKAoNrKAca-

1范围

中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件结构相似性应用指南Guideline for application of structruallysimilarity of discrete semiconductor devices1.1主题内容

SJ 20756—1999

本指南为GJB33A--97.《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。1.2适用范围

本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件（以下简称器件）的鉴定（含鉴定扩展）和质量一致性检验。

1.3应用自的

减少结构相似的器件应经受试验的检验批数量。2引用文件

GJB33A—97半导体分立器件总规范3要求

3.1—-般要求

3.1.1来用本指南必须以不降低产品质量保证水平为前提，并严格执行本指南规定的原则。

3.1.2作为结构相似器件应满足本指南为各检验分组规定的判别规则。3.1.3推荐作为结构相似性组合的器件，应在抽样检验之前以文件形式确定各分组所代表的器件型号、批次和批量（或时效），报有关主管部门认可后实施。对认证产品应在鉴定检验之前经鉴定机构认可后实施。上述文件需报标准化机构备案。3.2详细要求

3.2.1基本原则

组合在一起的结构相似器件，对一个检验分组随机抽取一组样品的检验结果，对该组样品所代表的其他型号器件均为有效。即检验合格，则该分组所代表的其他型号器件均为合格；撤验不合格，则该分组所代表的其他型号器件均为不合格：3.2.2自愿原则

符合表1判别规则的结构相似器件是否组合在一起进行检验，由承制方自行决定。承制方有权对结构相似器件中的部分或全部型号的器件单独抽样进行检验。3.2.3质量控制相同的原则

中华人民共和国信息产业部1999-11-10发布1999-12-01实施

SJ20756—1999

按结构相似性组合在一起进行检验的器件，必须是在相同生产线上生产的产品，而且不同型号器件所规定的材料质最要求，生产过程控制和检验要求的严格程度应该基本榈同。

3.2.4从严原则

对可组合在…起的结构相似器件，进行检验时应遵循从严原则，即从可能有最大失效风险的器件型号中抽取样品进行检验。例如：按分档的晶体管，测量特征频率行时，应抽取分组内HF最小的晶体管进行检验：鉴定检验时不同电压系列的器件应抽取具有最高电压和最低电压的器件进行检验。3.2.5轮换原则

按3.2.4条规定对可能有最大失效风险的器件检验合格以后，对随后提交检验的批和相继的周期检验，仍应遵循从严原则抽取未进行过检验的型号器件，以保证所有型号器件的轮换。

3.2.6多型号组合规定

对破坏性试验的各分组在不存在失效风险明显差异的情况下，需要时可从符合结构相似器件判别规则的不同型号器件中，抽取总数满足抽样方案要求的一组样品进行某一分组的检验。其检验条件和极限值应分别与该型号器件的要求相一致。3.2.7不一致时的规定

当检验分组的检验内容与GJB33A的规定不致时，应参照表1中相同检验内容对结构相似的要求确定判别规则

3.2.8其他检验分组的规定

除非另有规定，本指南判别规则中未列出的其他检验分组，就认为这类分组的检验不能互为代替，应单独抽取样品进行检验。4结构相似性在鉴定扩展中的应用结构相似性在鉴定扩展中的应用按GJB33A中4.5.2.5的规定并符合表1的要求。5结构相似器件判别规则

结构相似器件判别规期如表1所示。12-

TKANiKAca-

适用等级

全部等级

JP、JT、JCT

JP、JTJCT

金部等级

JP、JT、JCT

SJ20756-1999

表1结构相似器件判别规则

检验内容

25 ℃下的直流（静态）测试

在最高额定工作温度和最低额定工作温度下的直流（静态）测试25 °℃下的动态测试

安全工作区（对功率晶体管）

或电流降额曲线（对整流二极

管或整流器）

浪涌电流

选择的静态和动态试

物理尺寸

可焊性

耐溶剂

可焊性

耐溶剂

物理尺寸

温度循环(空气一空气）

开帽内部直观设计检验

扫描电子显微镜

键合强度

芯片粘附强度

温度循环（空气一空气）

热冲击（液体一液体）

开辑内部直观设计检验

高温寿命

恒定加速度

PIND（粒子碰撞噪声检验）

判别要求

相同设计、相同工艺，相同材料要求，并具有相同的试验条件和极限值（由详细规范规定）的器件。

相同的誉壳等部件及封装工艺、相同的引出端镀涂材料及工艺、相同的标志材料和打印方法以及相同的管壳键涂材料，基本相同的器件后道组装工艺。相间生产线、相同的管壳零部件及封装工艺、相同的镀涂材料及工艺、标志材料和打印方法以及相同的器件后避组装工艺。具有基本相同的内部结构及基本相同的芯片设计和工艺，但允许有不同的材料掺杂浓度、结深、光刻图形和不超过 1:2 的芯片面积差异。

适用等级

全部等级

JP、JT、JCT

全部等级

SJ 20756-1999

续表1

检验内容

热冲击（液体一菠体）

引线强度

外观检查

频据动

恒定加速度

温度循环（空气一空气）

低气压

间歇工作寿命

热冲击（液体一液体）

加速度稳态工作寿命

键合强度

稳态或间歌工作寿命或稳态宜流阻断寿命

键合强度

稳态或间歇工作寿命或阻断寿命动态交流间款工作寿命或稳态间歇工作寿命或稳态阻断寿命

破坏性物理分析

6结构相似器件抽样示例

结构相似器件抽样示例如下：

示例A：

A1涉及的器件

CS0529A型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0529B型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0530型GaAs 微波功率场效应晶体管：CS0531型GaAs微波功率场效应晶体管：CS0532型GaAs微波功率场效应晶体管；WP43 型 Si PIN 二极管。

A2执行的总规范

GJB33A半导体分立器件总规范

判别要求

相同生产线、相同的管壳零部件及封装工艺、相同的镀涂材料及工艺、标志材料和打印方法以及相同的器件后道组装工艺。具有基本相同的内部结构及基本相同的芯片设计和工艺，但允许有不同的材料掺杂浓度、结深、光刻图形和不超过 1:2 的芯片面积差异。

相同设计、相同工艺、相同材料要求，或仅由材料掺杂浓度和结深不同而组成的不同电压系列的器作。

生产的器件为同一质量等级（JP、JT或JCT级之）。-4-

KArKAca-

A3涉及的详细规范

SJ 20756—1999

SJ50033.52—94CS0529型神化镓微波功率场效应晶体管详细规范SJ50033.53—94CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范SJ50033.54—94CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范；Q/UD20327—94WP43型大功率PIN极管详细规范。A4器件的设计和工艺说明

A4.1六个型号的器件均采用相同的封装，企业型号为C406型。管壳等件的制造和器件的密封均在同一条管壳封装线上进行。所执行的原材料要求、工序控制和检验标准等均相同。这些器件在同一设备上用相同材料和严艺打印标志，A4.2五个型号的GaAs场效应晶体管均按相同工艺和质量控制要求，在同一条2英寸GaAs器件生产线.上制造。器件单胞设计相同。GS0529A和CS0S29B为单胞，CS0530和CS0531为双胞，CS0532为四胞。每个器件由单一芯片构成。芯片面积比与胞数比相同为1:2:4.

A4.3WP43型SiPIN二极管在3英寸Si二极管生产线上制造。A5器件的主要特性

A5.1CS0529A和CS0529B型器件设计相同只因在不同频率下测试微波特性而分为两个型号。

A5.2CS0530和CS0531型器件设计相同只因测得的微波输出功率和增益不同而分为两个型号。

A5.3各器件主要特性如表2和表3所示表2示例中各器件的土要特性

CS0529A

CS0529B

CS0530

CS0531

CS0532

150~400

250~-700

500~1400

YGstof)

Rcthij-e

(GHz)）

表3例中大功率PIN二极管的主要特性Yiski

A6抽样组合

Po(idB)

Gp(laB)

各检验分组抽样检验的组合办法见表4。表中批样组合类型中的字母涵义如下：A——每一型号单独抽取样品进行检验。SJ 20756—1999

B一从CS0529A或CS0529B型器件中抽取一组样品代表这两个型号的器件进行检验：

从CS0530或CS0531型器件中抽取一组样品代表这两个型号的器件进行检验：

对CS0S32型器件单独抽样进行检验：对WP43型器件单独抽样进行检验。C从六个型号中的一个型号中抽取一组样品代表六个型号的器件进行检验，从CS0530或CS0531中抽取一组样品代表CS0529A、CS0529B、CS0530CS0531和CS0532型器件进行检验；WP43型器件单独抽取一组样品进行检验。表4各检验分组抽样检验的组成

目检和机械检验

检验内容

25°℃下的直流（静态）测试

在最高和最低额定工作温度下的直流（静态）測试25℃下的动态（微被）试

可焊性

耐溶剂性

温度循环（空气一空气）

热冲击（液体液体）

终点测试

稳态工作寿命

终点测试

键合强度

开帽内部目检

高温寿命

终点测试

恒定加速度

终点测试

物理尺寸

热冲击（液体·-液体）

引线强度

外观检查

终点测试

TKAoNrKAca-

抽样组合办法

示例B：

抖频据动

恒定加速度

终点测试

稳态工作寿命

终点测试

各检验分组抽样检验见表5。

SJ 20756--1999

续表4

检捡验内容

表5各检验分组抽样检验可包容的器件型号适用等级

全部等级

JP、FT,JCT

检验内容

自检和机械检验

25°℃下的直流（静态）

在最高额定工作温度

和最低额定工作温度

下的直流（静态）测试

25°℃下的动态测试

安全工作区（仅对功率

晶体管）或电流降额曲

线（仅对整流二极管或

整流器）

浪涌电流

选择的静态和动态测

判别规则

相间设计、相同工

艺、相同材料（可

以是不同的电阻

率)，并具有相阅

的试验条件和主要

极限值的器件（有

详细规范规定，比

如：相同的功率耗

抽样组合办法

结构相似的器件

封装代号为 D2-10A 的

0.25 W、0.5 W、1 W 玻璃钝

化封装电压调整二极管。包

括：BWA50~78、BWB2V4~

110.,BWC50~64、BWC100~

121。

封装代号为 D2--10啪 的 3

W、5W玻璃钝化封装电压调

整二极管。包括：BWD129

~149,BWD80~94,2CW5341

5379。

封装代号为 D2 05D

（DO13）金属封装瞬变电压

抑制二极管。包括：YS5629~

5665、YS5636A~6066A、

适用等级

3P、JT、JCT

全部等级

检验内容

物理尺寸

可焊性

耐溶剂性

可焊性

耐溶剂性

物理尺寸

SJ 20756--1999

续表5

判别规则

相同的管壳，相

同的零部件及相

同的封装工艺，

相同的引线镀涂

材料及工艺，相

同的标志材料，

打印方法以及相

同的打印衬底涂

结构相似的器件

封装代号为D2—10A的被

璃钝化封装二极管，如 D.3 A,

0.5 A、1 A、1.5 A 的整流管和0.25 W、0.5 W、1 W的电压调

整二极管。包括：BZ03、BZ05、BZI,BZG03.BZG05. BZG1,

BZU15、2CZ32. BWA50~78.

BWB2V4 -~ 110, BWC100 ~-

121、BWC50~64。

b. 封装代号为 D2—10B 的玻

璃钝化封装二极管，如2A、3A

整流二极管和3W、5W的电

压调整二极管。包括RZ2、

BZ3. BZG2.BZG3.BWD129~

149.BWD80~~94.2CW5341~

C.封装代号为B2-01B（F-

1）封装的功率开关晶体管。

包括：3DK104.3CK104、FH205

d.封装代号为B2-0IC（F

2）封装功率开关晶体管。

包括：3DK105、3DK106

CK105、3CK106、3DK108.

3DK109。

iKAoNrKAca

适用等级

JP、JT,JCT

全部等级

SJ20756—1999

续表5

检验内容

温度循环（空气一空气）

终点测试

开帽内部目视设计捡验

扫描电子显微镜

键合强度

芯片粘附强度

温度循环（空气一空气）

热冲击（液体一液体）

终点测试

开辑内部目验

高温寿命

终点测试

恒定加速度

PIND（粒子碰接噪声检

终点测试

温度循环（空气一空气）

引线强度

外观检查

终点测试

扫频搬动

恒定加速度

终点测试

温度循环（空气一空气）

破坏性物理分相

【低气压

翔别规则

具有基本相同的

结构形式、相同

的生产线、相同

的管壳零部件及

工艺、相同的镀

涂材料及工艺

（例：基本相同

的芯片面积、

狗的后部组装工

艺)。

结构相似的器件

金封装功率开关晶体

管。封装代号为 B2—01C 型

NPN 功率晶体管。包括：

3DK108.3DK1093DK105、

3DK10G。封装代号为B2—01C

型PNP功率晶体管。包括：

3CK105、3CK106

b．玻璃钝化封装二极管。封

装代号为I2—10A玻璃钝化

封装 0.25 W、0.5 W、.1 W 电

压调整极管。包括 BWAS0~

78.BWB2V4~110.BWC100~

121、BWC50~64，封装代号

为 D210B 玻璃钝化封装 3

W、5 W 电压调整二极管。包

括: BWD129~149、BWD80~

94、2CW5341~5379。封装代

号为D2—10A玻璃钝化封装

0.3 A, 0.5 A,1 A, 1.5 A 整

流二极管。包括：BZ03、BZ05、BZ1、BZG03. BZG05.BZG1、

2CZ32、 BZU5.

C.金属封装整流二极管。封

装代号为 C1—0IA（D04）包

括：YZ6、YZ12、YZG6、

适用等级

JP、JT 和 JCT

全部等级

SJ 20756—1999

续表5

检验内容

稳态工作寿命或间工

作寿命

终点试

键合强度（仅对引线或

来片键合器件）

稳态直流阻断寿命（仅

对整流器）

终点测试

键合强度（仅对引线或

来片键合器件）

稳态或间歇工作寿命或

阻断寿命

终点测试

动态交流间歇工作寿命

或稳态间歇工作寿命或

稳态阳断寿命

终点测试

说明；示例中涉及的器件补充说明如下：判别规则

相同设计、相间

工艺、相同材料、

或从同一产品中

结构相似的器件

封装代号为 D2-10A 玻

璃钝化封装0.3A，0.5A，1

A、15 A整流二极管。包括:

派生出来的不同BZ03、BZ05、BZ1；EZG03、的P或1g的产品

BZG05、BZG1BZU15、

2CN3、 2CN4.

b.封装代号为D2—10B玻

璃钝化封装2A、3A整流二

极管，包括：BZ2、BZ3、

BZG2、BZG3.

c.封装代号为D2—10A玻

璃钝化封装0.25W、0.5W、

1W电压调整二极管。包括：

BWA50 ~ 78 、BWB2V4 --

110 BWC100 ～ 121

BWC50~64.

d．封装代号为D2—10B珑

璃钝化封装3W、5W电压

调整二极管。包括：BWD129~

149 BWD80 ~ 94

2CW5341~5379。

e：封装代号为 B2--01C（F

—2）金属封装功率晶体管。

包括：3DK105、3DK106。

f封装代号为B2—01C（F

-2）金属封装功率晶体管.

包括：3DK108、3DK109.

第一类：玻璃钝化封装扩散台面工艺生产的0.3A1.5A整流二极管分带有恢复时间和不带恢复时间两种，其封装代号为D2一10A，它们具有相同的封装、相同的外形尺寸、相同的工艺和相同的芯片尺寸，在相同的生产线上生产，主要参数如下：- 10 -

KAoNrKAca-

北检院检验检测中心能够参考《SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南》中的检验检测项目，对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试，检测项目包含《SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南》中规定的所有项目，以及出厂检验、型式检验等。

热门检测项目推荐

检测流程

线上咨询或者拨打咨询电话;

获取样品信息和检测项目;

支付检测费用并签署委托书;

开展实验，获取相关数据资料;

出具检测报告。

北检研究院的服务范围

1、指标检测：按国标、行标及其他规范方法检测

2、仪器共享：按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析：对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4，样品前处理：对产品进行预处理后，进行样品前处理，包括样品的采集与保存，样品的提取与分离，样品的鉴定以及样品的初步分析，通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析：根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测，然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。