北检(北京)检测技术研究院
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SJ 20160-1992 半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范

北检院检测中心  |  点击量:10次  |  2024-12-14 14:15:18  

标准中涉及的相关检测项目

为了详细说明标准《SJ 20160-1992》中提到的内容,我将描述该标准涉及的检测项目、检测方法以及产品。

检测项目:

  • 外观检查:检查产品外观是否符合标准要求。

  • 尺寸测量:测量产品的关键尺寸,确保其在规范围内。

  • 电参数测试:包括测试工作电压、电流、功耗等关键电参数。

  • 功能测试:确保移位寄存器的功能符合标准描述。

  • 环境试验:测试产品在不同温度、湿度、振动等条件下的性能。

  • 可靠性测试:评估产品的长期稳定性和可靠性。

检测方法:

  • 通过专业测试仪器进行电参数和功能测试,包括示波器、逻辑分析仪等。

  • 使用量具和视觉设备进行外观和尺寸测量。

  • 采用环境实验设备进行温度、湿度和振动等环境试验。

  • 进行加速寿命试验以评估可靠性。

涉及产品:

  • JT54S194型S—TTL移位寄存器

  • JT54S195型S—TTL移位寄存器

以上是标准《SJ 20160-1992》中提到的主要检测项目、方法以及涉及的产品,希望能帮助您了解更多关于此标准的信息。

SJ 20160-1992 半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范的基本信息

标准名:半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范

标准号:SJ 20160-1992

标准类别:电子行业标准(SJ)

发布日期:1992-11-19

实施日期:1993-05-01

标准状态:现行

SJ 20160-1992 半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范的简介

SJ20160-1992半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL移位寄存器详细规范SJ20160-1992

SJ 20160-1992 半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范的部分内容

中华人民共和国电子行业军用标准FL5962

半导体集成电路

SJ20160--92

JT54S194和JT54S195型

S-TTL移位寄存器详细规范

Detail specification for types JT54S194 and JT54S195SHIFT RFGISTERS of S-TTL semiconductor integrated circuits1992-11-19发布

1993-05-01实施

中华人民共和国机械电子工业部发布1范围

1.1主题内容

1.2适用范围

1.3分类

2引用文件

3要求

3.1详细要求

3.2设计、结构利外形尺寸

3.3引线材料和涂覆

3.4电特性·

3.5电试验要求

3.6标志·

3.7微电路组的划分

4质量保证规定

4.1抽样利捡验·

4.2筛选·

4.3鉴定检验

4.4质量一致性检验

4.5检验方法

5交货准备

5.1包装要求

6说明事项

6.1预定用途

6.2订货资料

6.3缩写、符号和定义

替代性

中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路

JT54S194和JT54S195型

S-TTL移位寄存器详细规范

Detaif specifieation for types JT54S194 and JT54S195SHIFT RFGISTERS of S-TTL semiconductor integrated circuits1范围

1.1主题内容

SJ 20160-92

本规范规定了半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S-TTL移位寄存器(以下筒称器件)的详细要求,

1.2适用范围

本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类

本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式,额定值和推荐工作条件分类。1.3.1器件编号

器件编号应按GJB597《微电路总舰范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号

器件型号如下:

器件型号

JT54S194

FT545195

1.3.1.2器件等级

器件名称

4位效向移位寄存器(并行存取)4位移位寄存器(并行存取,J-K飨入)器件等级应为 GJB597第 3.4条规定的B级和本规范规定的 B,级。1.3.1.3封装形式

封装形式如下:

中华人民共和国机械电子工业部1992-11-19批准1993-05-01实施

1.3.2绝对瑕人额定值

绝对最人额定值如下:

电源电压

输入电

存溢度

功耗“

引线耐焊接温度(10 s)

结温2)

封装形式(GB7092“半导体集成电路外形尺寸》)D16S3(陶瓷双列封装)

F16X2(陶瓷扁平封装)

HI6X2(陶瓷熔封扁平封装)

J16S3(陶瓷熔封效列封装)

注:1)器件应能经受测试输山短路电流(Is)时所增加的功耗。2)除本规范4.3条老化试验外,结温不应超过175C,t. 3.3推荐T作条件

推荐T作条件如下:

电源电压

输入商电平电压

输入低电子电压

输出高电平电流

输出低电平电流

工作环镜溢度

脉冲究度

Ma,M, JT54S194

D糖入

建立时间

保持时间

SH/LD JT54S195

CR无效态

2引用文件

GB3431.1—82半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB3431.2—86半导体集成电路文字符号引出端功能符号最人

-1 000

GB 3439—82半导体集戏电路 TTL 电路测试方法的基本原理GB4590—84半导体集成电路机械和气候试验方法GB4728.12-851L气图用图形符号二进制逻辑单元GB7092导体集成电路外形尺寸

GJB548--88微电子器件试验方法和程序GJB597—88微电路总规范

GJB/Z105电子产品防静电放电控制手册单位

3要求

3.1详细要求

各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸

设计、结构和外形尺寸应按GJB597和本规范的规定。3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列逻辑符号,逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图,a.JT54S194

逻辑符号

外引线罪列

GND:

逻辑图

.JT54S195

逻辑符号

1nCR—国

1 5 JD2

M1[SHIFT]

M2LOAD】

>C3/1-

ait 14 t

+-02t 13 1

Q3t12J

外引线拌列

GND:

逻辑图

19 H/LD

-oot 15

GLE 141

--02( 13

23f 11 ?

(7)D3

图1逻辑符号、逻辑图和引出端排列3.2.2功能表和时序图

功能表和时序图如下:

a.JT54S194

功能表

时序图

!左移禁止

b.IT54S195

功能表

时序图

移位-

注:H为高电平:火低电半:为低到高电半跳变,X为任意态:ds、dd、d,DD,、DD,端的稳态输入电平:QQInQ2、Q为规定的稳态输入条件建立前Qo、Q,、Q2、Q,的电平;Qm、QQn、Qn为时钟最近的t前 QQ、Q2、Q,的电平:d3为 d,的补码:Q3o为 Qc的补码;Qc、0为Qom,Qm的补码,3.2.3电原理图

制造厂在鉴定之前应将电原理图提交给鉴定机构,电原理图应由鉴定机构存挡备查,3.2.4封装形式

封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆

引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性

电特性应符合本规范表1的规定

翰出高电平电压

输出低电平电压

输入钳位电压

最大输入电压时输入

输入高电平电流

输入低电平电流

输山短路电流23

电源电流

壤大时钟频率

传输延退时间

表1—1JT54S194的电特性

条件1

(若无其他规定,-55℃≤T≤125℃)Vcc=4.5 V, V-2.0 V, lon--1 000 μAVcc=4.5 V, Vm*2.0 V, Vu-0.8 V, JuL-20 mAVuc=4.5 V, Ix=-18 mA

Vce-5.5 V, V-5.5 V

Ve-5.5 V, V-2.7V

Vx=-5.5 V, V-0.5 V

Vcc=5.0 V,

R,=280 0,

G=15 pF

注:1)完整的测试条件列于表 3。2)每次只能短路一个输出端。

CR任—Q

CP→年Q

规范值

输出高电平电压

输出低电平电压

输入钳位电压

人输入电压时输

入电流

输入商电平电流

输入低电平电流

输山短路电流22

电源电流

最大时钟频率

传输延迟时间

表1—2JT54S195的电特性

条件》

(若无其他规定,-55C≤T≤125C)Vcc=4.5 V, Vm-2.0 V, lon m1 000 μAVc=4.5 V, Ym-2.0 V. V=0.8 V.ful-20 mAVe-4.5 V, Ik=-=18 mA

Ver=5.5 V, V-5.5 V

Vec=5.5 V, V-2.7V

Ve~5.5 V, Y-0.5 V

Vce=5.5 V

Vcr=-5.0 V,

R,-280 Q,

G-15 pF

注:)完整的测试条件列于表3。2)每次只能短路·个输山出端。3.5电试验要求

CR-任 Q

CP→任—α

规范值

各级器件的电试验要求应为本规范表2所规定的关分纠,各分组的电测试按本规范裴3的规定。

现行

北检院检验检测中心能够参考《SJ 20160-1992 半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范》中的检验检测项目,对规范内及相关产品的技术要求及各项指标进行分析测试。并出具检测报告。

检测范围包含《SJ 20160-1992 半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范》中适用范围中的所有样品。

测试项目

按照标准中给出的实验方法及实验方案、对需要检测的项目进行检验测试,检测项目包含《SJ 20160-1992 半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范》中规定的所有项目,以及出厂检验、型式检验等。

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检测流程

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出具检测报告。

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2、仪器共享:按仪器规范或用户提供的规范检测

3、主成分分析:对含量高的组分或你所规定的某种组分进行5~7天检测。

4,样品前处理:对产品进行预处理后,进行样品前处理,包括样品的采集与保存,样品的提取与分离,样品的鉴定以及样品的初步分析,通过逆向剖析确定原料化学名称及含量等共10个步骤;

5、深度分析:根据成分分析对采购的原料标准品做准确的定性定量检测,然后给出参考工艺及原料的推荐。最后对产品的质量控制及生产过程中出现问题及时解决。

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